本发明涉及到一种半导体装置，包括在基板(6)中实施的具有各自宽度和深度的至少两个孔(18，20)，并且形成一种二极管(4)，其中，基板(6)具有确定的掺杂类型，而且，其中，掺杂每个孔(18，20)的内壁，使其掺杂类型与基板(6)掺杂不同...

本发明涉及一种电容器结构(2)，包括具有第一侧和第二侧(6、8)的硅衬底(4)、双重金属‑绝缘体‑金属沟槽式电容器(10)，其包括基底电极(12)、绝缘层(16，20)、第二导电层和第三导电层(18，22)；电容器结构还包括耦接到基底电...

金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其包括基底(2)、设置在基底(2)上的第一电绝缘层(14)、设置在第一电绝缘层(14)上的下电极(6)、包括设置在下电极(6)上的多个孔的结构化金属层(12)、MIM电容器(4)，其包括设置在结构化...

提供一种多层结构，尤其是槽式电容器的多层结构，所述结构包括含有沟槽的图形化层结构和第一电极，其中图形化层结构包括FASS曲线（FASS-curve）结构，并且第一电极至少部分形成于该FASS曲线结构上。

提供一种多层结构，尤其是槽式电容器的多层结构，所述结构包括含有沟槽的图形化层结构和第一电极，其中图形化层结构包括ＦＡＳＳ曲线（ＦＡＳＳ－ｃｕｒｖｅ）结构，并且第一电极至少部分形成于该ＦＡＳＳ曲线结构上。