本申请披露了一种利用脉冲激光在透明基片上形成图案的方法。不同的实施例包括超短脉冲激光，对于激光波长透明的基片，和靶板。激光束被引导通过透明基片并聚焦在靶表面上。靶材料被激光烧蚀并且被沉积在相对的基片表面上。通过相对于靶扫描激光束形成图案...

光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料（例如，氟掺杂的石英玻璃）。该相对折射率差可被表征为（ｎｉ－ｎ２）／ｎｉ，其中ｎｉ是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而ｎ２...

本发明披露了一种脉冲激光沉积（ＰＬＤ）的方法，所述方法能够从纳米颗粒聚集体到无颗粒和液滴的光滑薄膜连续地调整已形成的薄膜形态。利用本发明的不同实施例可被合成的材料包括但不限于，金属，合金，金属氧化物，和半导体。在不同的实施例中，提供了“...

不同的实施例可用于工件的靶材料的基于激光的改性，同时有利地实现在加工处理能力和／或质量上的改进。加工方法的实施例可包括以足够高的脉冲重复率将激光脉冲聚焦和引导至工件的一区域，以便材料被有效地从所述区域去除，并且在所述区域内、接近所述区域...

本发明公开了用于光学透明材料的超短脉冲激光加工的方法、设备和系统，具有划片、标记、焊接和连接的示例应用。例如，超短激光脉冲用单程激光束穿过材料形成划片结构，其中所述划片结构中的至少一个形成在材料的表面之下。稍微改变超短脉冲激光加工条件产...

本发明披露了用于放大高峰值功率脉冲的大功率平行光纤阵列。可以实施基于各单独光纤放大器的光纤阵列以及基于多芯光纤的光纤阵列。利用各种相位检测和补偿技术来测量和控制光纤阵列的各光纤放大器元件之间的光学相位。大功率光纤阵列放大器可用于ＥＵＶ和...

一种一步式和室温处理工艺，利用超快脉冲激光烧蚀氧化钛或金属钛靶将金属氧化物，如结晶二氧化钛（ＴｉＯ↓［２］）的纳米颗粒或纳米复合材料（纳米颗粒组合的）薄膜沉积在基片表面上。所述系统包括脉冲激光，它的脉冲持续时间范围从几飞秒至几十皮秒；光...

披露了ｐ型半导体氧化锌（ＺｎＯ）薄膜和制备所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷（Ｐ）和锂（Ｌｉ）共掺杂的。披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法，它包括脉冲激光源，在脉冲激光波长下透明的基片，以及多靶...

通过补偿光子晶体光纤脉冲压缩器中的偏振模式色散以及多色色散，可以从全光纤啁啾脉冲放大系统中获得高脉冲能量。通过借助于自相位调制来引起光纤放大器中的三阶色散，可以补偿来自大容量光栅脉冲压缩器的三阶多色色散，并且可以改进混合光纤／大容量啁啾...

披露了ｐ型半导体氧化锌（ＺｎＯ）薄膜和制备所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷（Ｐ）和锂（Ｌｉ）共掺杂的。披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法，它包括脉冲激光源，在脉冲激光波长下透明的基片，以及多靶...