本发明公开了一种化学气相沉积设备的真空与尾气处理系统，其包括：尾气管道、真空泵、水环泵和碱液池；所述尾气管道的一端与反应炉连通，所述尾气管道的另一端与所述水环泵的进气口连通；所述真空泵通过真空管道与所述尾气管道连通，实现所述真空泵与所述...

本发明涉及一种低温化学气相反应法制备SiC涂层的方法，主要用于碳素材料的抗氧化保护。该方法采用适量Si粉、SiO2粉以及适量SiO粉为反应原料，通过化学气相反应法在较低温度下制备SiC涂层。该方法工艺简单，制备的涂层结构致密均匀，晶粒细...

本实用新型公开了一种用于放置硅衬底的石墨基座，包括由石墨制成的基座本体(1)，所述基座本体(1)上设置有用于容纳衬底的圆形凹槽(2)，其特征在于：所述圆形凹槽(2)的边缘处设置有锥面台阶(3)，所述锥面台阶(3)远离所述圆形凹槽(2)圆...