一种用于放置硅衬底的石墨基座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于放置硅衬底的石墨基座，包括由石墨制成的基座本体(1)，所述基座本体(1)上设置有用于容纳衬底的圆形凹槽(2)，其特征在于：所述圆形凹槽(2)的边缘处设置有锥面台阶(3)，所述锥面台阶(3)远离所述圆形凹槽(2)圆心的一侧高于靠近所述圆形凹槽(2)圆心的一侧。本实用新型专利技术有利于减少衬底的搭边现象，使得衬底被放置到位的准确性有效提升，提高硅外延产品的合格率。提高硅外延产品的合格率。提高硅外延产品的合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于放置硅衬底的石墨基座


[0001]本技术涉及一种用于放置硅衬底的石墨基座，属于石墨基座
，具体为用于单晶硅外延设备的反应腔，承载单晶硅衬底的石墨基座。

技术介绍

[0002]单晶硅外延片是指在一块加热到适当温度的单晶硅衬底上，通过化学气相沉积法，将硅原子沉积，生长出特定的单晶薄膜。外延片生长技术处于半导体产业链中的上游环节，是整个后续工序的基础，对最终产品品质，产品成本控制影响最大。现有用于承载衬底基片的装置包括石墨预热环和设置在石墨预热环中间的石墨基座，衬底基片放置在石墨基座的凹槽内。
[0003]单晶硅衬底片是通过机械臂自动传送并放置在石墨基座的凹槽内的，对于机械臂传动的精准性要求很高，同时对基座的安装位置、安装水平的精确性也有很高的要求，而往往人工在设备维护时，安装基座的精度达不到机械臂的精度，两者容易产生配合偏差，导致衬底在自动传送到凹槽的过程中放置不到位，发生滑动和搭边的现象，从而引起外延产品的不合格。另外，衬底放置过程中，衬底和凹槽之间的空气被下落的衬底压缩排出，这也可能导致衬底不能准确落到凹槽内。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术中存在的问题，本技术提供一种用于放置硅衬底的石墨基座，有利于提高衬底的放置位置的精度，提高衬底的外延合格率。具体技术方案如下。
[0005]一种用于放置硅衬底的石墨基座，包括由石墨制成的基座本体，所述基座本体上设置有用于容纳衬底的圆形凹槽，其特征在于：所述圆形凹槽的边缘处设置有锥面台阶，所述锥面台阶远离所述圆形凹槽圆心的一侧高于靠近所述圆形凹槽圆心的一侧。
[0006]采用上述的技术方案，当机械臂将衬底放置于凹槽内时出现了偏差，衬底的边缘接触到锥面台阶，衬底在锥面台阶的引导下会准确落入到凹槽内，衬底的边缘不容易搭接在锥面台阶上，从而提高衬底的外延合格率。
[0007]进一步地，所述锥面台阶与所述圆形凹槽的底面的夹角为5
°‑8°
。优选地，该夹角为6
°
。
[0008]进一步地，所述锥面台阶在所述圆形凹槽的径向上的宽度为3
‑
5mm。该宽度为锥面台阶在圆形凹槽的地平面内的投影宽度。
[0009]进一步地，所述锥面台阶上设置有若干个排气凹槽，所述排气凹槽沿着所述圆形凹槽的径向延伸，若干个所述排气凹槽沿着所述圆形凹槽的周向均匀间隔布置。通过设置排气凹槽，当衬底下落至凹槽内时，衬底和凹槽之间的空气能够顺利地通过排气凹槽排出，从而降低排气气流对衬底位置的影响，确保衬底能够精确地落入到凹槽内。
[0010]进一步地，所述排气凹槽的宽度为0.5
‑
2mm。排气凹槽的宽度是指沿着圆形凹槽周向的宽度。优选地，所述排气凹槽的深度沿着径向方向由内向外逐渐变浅，所述排气凹槽衔
接于所述圆形凹槽的一端具有与所述圆形凹槽相同的深度。以此能够实现更好地排气。
[0011]进一步地，所述基座本体的外表面上覆盖有碳化硅涂层。
[0012]进一步地，所述圆形凹槽的直径为6
‑
8英寸。
[0013]本技术有利于减少衬底的搭边现象，使得衬底被放置到位的准确性有效提升，提高硅外延产品的合格率。
附图说明
[0014]图1是本技术实施例1的石墨基座的局部剖面示意图；
[0015]图2是本技术实施例1的石墨基座的俯视图；
[0016]图3是本技术实施例2的石墨基座的局部剖面示意图；
[0017]图4是本技术实施例2的石墨基座的俯视图。
[0018]图中：基座本体1、圆形凹槽2、锥面台阶3、排气凹槽4。
具体实施方式
[0019]下面结合附图对本技术作进一步详细描述。
[0020]实施例1
[0021]参见图1
‑
图2，一种用于放置硅衬底的石墨基座，包括由石墨制成的基座本体1，基座本体1的外表面上覆盖有碳化硅涂层，基座本体1主要用于承载和导热衬底，使衬底受热均匀，同时碳化硅涂层在高温下的稳定性，也保证了整个外延生长过程环境的洁净度；基座本体1上设置有用于容纳衬底(未图示)的圆形凹槽2，圆形凹槽2的直径为6
‑
8英寸，圆形凹槽2的边缘处设置有锥面台阶3，锥面台阶3远离圆形凹槽2圆心的一侧高于靠近圆形凹槽2圆心的一侧；优选地，锥面台阶3与圆形凹槽2的底面的夹角为5
°‑8°
。优选地，该夹角为6
°
。锥面台阶3在圆形凹槽2的径向上的宽度为4mm。该宽度为锥面台阶3在圆形凹槽2的地平面内的投影宽度。
[0022]当机械臂将衬底放置于圆形凹槽内时出现了偏差，衬底的边缘接触到锥面台阶3，衬底在锥面台阶3的引导下会准确落入到凹槽内，衬底的边缘不容易搭接在锥面台阶3上，从而提高衬底的外延合格率。衬底放置的位置准确时，衬底的下表面和圆形凹槽的底面基本平齐，对外延生长工艺的稳定性尤为重要。
[0023]实施例2
[0024]如图3
‑
图4所示，实施例2在实施例1的基础上，锥面台阶3上还设置有若干个排气凹槽4，排气凹槽4沿着圆形凹槽2的径向延伸，若干个排气凹槽4沿着圆形凹槽2的周向均匀间隔布置；排气凹槽4的宽度为1mm。排气凹槽4的宽度是指沿着圆形凹槽2周向的宽度。其中，排气凹槽4的深度沿着径向方向由内向外逐渐变浅，排气凹槽4衔接于圆形凹槽2的一端具有与圆形凹槽4相同的深度。通过设置排气凹槽4，当衬底下落至圆形凹槽内时，衬底和圆形凹槽之间的空气能够顺利地通过排气凹槽4排出，从而降低排气气流对衬底位置的影响，确保衬底能够精确地落入到凹槽内。
[0025]上面结合附图对本技术的实施例进行了描述，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本技术并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是局限性的，本领域的普通技术人员在本实
用新型的启示下，在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于放置硅衬底的石墨基座，包括由石墨制成的基座本体(1)，所述基座本体(1)上设置有用于容纳衬底的圆形凹槽(2)，其特征在于：所述圆形凹槽(2)的边缘处设置有锥面台阶(3)，所述锥面台阶(3)远离所述圆形凹槽(2)圆心的一侧高于靠近所述圆形凹槽(2)圆心的一侧。2.根据权利要求1的一种用于放置硅衬底的石墨基座，其特征在于，所述锥面台阶(3)与所述圆形凹槽(2)的底面的夹角为5
°‑8°
。3.根据权利要求2的一种用于放置硅衬底的石墨基座，其特征在于，该夹角为6
°
。4.根据权利要求1的一种用于放置硅衬底的石墨基座，其特征在于，所述锥面台阶(3)在所述圆形凹槽(2)的径向上的宽度为3
‑
5mm。5.根据权利要求1的一种用于放置硅衬底的石墨基座，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：何岸青，何岸，叶国柱，
申请(专利权)人：湖南联合半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：