本实用新型涉及一种改善功率放大器线性度的电路。所述电路包括功率放大器电路，所述功率放大器电路前端设有线性度补偿电路；所述线性度补偿电路包括一电流源、一电压钳位晶体管、一状态补偿晶体管以及隔离电阻；所述电流源与电压钳位晶体管串联接地，为功...

本发明涉及一种改善功率放大器线性度的电路。所述电路包括功率放大器电路，所述功率放大器电路前端设有线性度补偿电路；所述线性度补偿电路包括一电流源、一电压钳位晶体管、一状态补偿晶体管以及隔离电阻；所述电流源与电压钳位晶体管串联接地，为功率放...

本发明涉及一种射频功率放大器功率切换电路。所述切换电路包括并行的高功率放大路径、低功率放大路径及控制电路，在高、低功率放大路径输入端分别串联一隔直电容，且至少在一条功率放大路径中串联独立的切换开关，所述控制电路根据需要控制至少一条功率放...

本实用新型涉及一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括三个CMOS晶体管和三个级联的反向器；晶体管一源极接晶体管二漏极，晶体管二源极接晶体管三漏极，晶体管二源极接地。晶体管一、晶体管二栅极分别接直流电压源。反向器三输出端与晶体管三...

本发明涉及一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括三个CMOS晶体管和三个级联的反向器；晶体管一源极接晶体管二漏极，晶体管二源极接晶体管三漏极，晶体管二源极接地。晶体管一、晶体管二栅极分别接直流电压源。反向器三输出端与晶体管三的栅...

本发明涉及滤波器相关技术领域，特别是一种应用于移动设备射频前端模块的微带滤波器，包括第一并行耦合微带线、第二并行耦合微带线和开路微带线，第一并行耦合微带线和第二并行耦合微带线相互连接后与开路微带线连接。本发明提出一种采用并行耦合微带线与...

本实用新型涉及一种多模多频的手机射频前端模块，包括分别支持TDB40、TDB34B39和GSM标准的DCS/PCS及GSM标准的GSM/E-GSM三个频段信号的三个射频功率放大器，三个功率放大器输出端连接一SP10T开关，该开关用于射频...

本实用新型涉及一种射频功率放大器温度补偿电路，包括由基准电压产生电路、电压转换电路及温度斜率调整电路组成的控制电路，其输出端接反馈电路，基准电压产生电路产生一个不随温度和电源电压变化的基准电压VBG和一个跟随温度变化的电流IPTAT，电...

一种新型ESD保护电路，包括两列由二极管依次串联组成的二极管串，两列二极管串互为反相并联并通过电阻接地，另有晶体管T1和T2?，其栅极分别通过电阻接二极管串一并联端，晶体管T1源极接T2?漏极，晶体管T1漏极接二极管串另一并联端，晶体管...

本实用新型涉及一种射频功率放大器过压保护电路，包括与功率放大管基极连接偏置电路、电压检测电路及电压电流转换模块，其中电压检测电路与功率放大管电源端连接，其检测功率放大管工作电压后输出给电压电流转换模块转换为电流信号，该电流信号输出给偏置...

本发明涉及一种基于变压器的射频功率放大器。所述功率放大器包括依次连接的输入变压器、驱动电路、功率放大电路、阻抗匹配网络、输出变压器；所述输入变压器的输入端分别连接单端射频输入信号RFIN和地，输出端连接驱动电路的输入端，将单端的射频输入...

一种射频功率放大器过温保护电路，包括依次连接的温度检测电路、比较器电路、逻辑控制电路及偏置电路；温度检测电路检测芯片温度后输出给比较器电路，由其输出触发信号给逻辑控制电路，由逻辑控制电路控制偏置电路调节放大器电流进而调节自身工作温度实现...

本实用新型公开了一种耗尽型ｐＨＥＭＴ芯片的ＥＳＤ保护电路，其在外接ＥＳＤ保护电路与芯片焊盘之间增加了一个耗尽型ｐＨＥＭＴ　Ｔ↓［１］、电阻Ｒ↓［１］和电阻Ｒ↓［２１］，Ｔ↓［１］的栅极Ｇ↓［１］通过电阻Ｒ↓［１］接地，漏极Ｄ↓［１］接芯...

本实用新型公开了一种增强功率放大器线性度及效率的电路，该电路在功率放大器输出端增加由电感Ｌ和电容Ｃ串联组成的谐振网络，该谐振网络的另一端接地，该谐振网络可以是电容Ｃ靠近功率放大器输出端，电感Ｌ接地，或者是电感Ｌ靠近功率放大器输出端，电容...

本实用新型公开了一种射频功率放大器架构。射频功率放大器包括与射频输入信号连接的第一放大模块、与射频输出信号连接的第二放大模块，及连接于两放大模块之间的匹配网络、功率控制电路；所述第一放大模块、功率控制电路均采用ＣＭＯＳ工艺器件，且集成于...

本实用新型公开了一种与射频功率放大器配合使用的高低功率合成电路，其连接于输入信号与负载之间，包括并行的高功率模式通道、低功率模式通道及用于选择切换两通道工作并对两通道工作进行控制的电压控制电路；其中高功率模式通道包括顺次连接的第二匹配网...

本实用新型公开了一种射频功率放大器偏置电路，包括与晶体管Ｑ↓［１］基极连接为Ｑ↓［１］提供偏置电流的晶体管Ｑ↓［６］、与晶体管Ｑ↓［６］连接的基准电压提供电路和反馈补偿电路。本实用新型电路采用反馈技术对温度和偏置电压的变化提供补偿，能很...

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体是指一种用于承载芯片、线路及元器件的集成电路基板。所述集成电路基板，其上面或里边设有线路及元器件，其特点是，所述基板上设有缝隙。所述缝隙与基板上各线路或元器件之间至少保持基板设计规则所允许的最小间距要...

本发明涉及射频功率放大器领域，具体是指一种提高射频功率放大器线性度及效率的方法。所述方法即在所述射频功率放大器输出端连接一电容，电容另一端接地。在射频功率放大器输出端接一并联到地的电容，使得射频功率放大器处于Ｆ类工作状态。这个电容能够降...