本发明涉及一种导电聚合物纳米复合材料及其制备方法。复合材料是以锑掺杂二氧化锡纳米粉体为导电填料、可溶性绝缘聚合物为基体的透明导电复合材料及其制备方法。制备方法是将聚合物溶于丙酮等有机溶剂中，聚合物溶液边搅拌边加入定量的ＡＴＯ有机溶剂分散...

本发明涉及到创建杂交水稻两用保持系新的选育方法。以光敏型水稻不育系为母本，与细胞质雄性不育保持系杂交，经有限回，转而自交分离选择，构建成既有光敏型隐性核不育基因，又有细胞质不育保持系基因的两用保持系。在长日、高温条件下，光敏核不育基因控...

本发明提出了一种产甘露聚糖酶的酵母基因工程菌ＨＢＹｎ１和利用ＨＢＹｎ１生产全细胞甘露聚糖酶制剂的方法，它是将来自Ｂ．ｓｕｂｔｉｌｉｓ　ＨＢ００２的甘露聚糖酶基因和来自Ｓ．ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ　ＡＴＣＣ６０７１５的絮凝蛋白基因，通过在解脂...

本发明涉及不使用任何含过渡金属类的催化剂而仅使用催化剂通过多相催化氧化制备环氧化物的化学反应过程，具体地说是一种纳米ＳｉＯ↓［２］材料催化的烯烃与Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］液相高选择性环氧化方法，使用纳米ＳｉＯ↓［２］材料、或经过表面改性的带...

本发明提出了一种能够同时提高ＨｆＯ↓［２］的结晶温度、控制ＨｆＯ↓［２］与Ｓｉ衬底间的界面及其电学特性的方法。其特征在于用脉冲激光沉积技术制备ＨｆＯ↓［２］薄膜的过程中引入电离氮。本发明采用成本较低的电离装置作为氮源，将电离氮引入到脉冲...

本发明涉及不锈钢表面彩色凹雕图像的两种制作方法，尤其是在不锈钢器皿（如：不锈钢真空杯等）、日用品、家电外壳、工艺品及其它制品的不锈钢材料表面的两种彩色凹雕图像制作方法。这两种制作方法简单方便，其图像色彩是通过不锈钢着色技术产生的，其耐蚀...

本发明提出了一种喜树碱植物灭螺剂及其制备和应用方法。它是用喜树碱结晶性粉末配制成０．０５－０．１ｇ／Ｌ灭螺剂水溶液和喜树碱含量为０．２５－０．３０％的灭螺颗粒剂。本发明为纯植物化学成份，符合环保要求，灭螺效果易于进行标准化评价，本发明驱...

本发明提出了一种掺杂钛酸锶钡高介电性铁电陶瓷材料及其制备方法。其组成式为ｘＢａＴｉＯ↓［３］＋（１－ｘ）ＳｒＴｉＯ↓［３］＋ｙＬａ↓［２］Ｏ↓［３］＋ｚＳｍ↓［２］Ｏ↓［３］＋ｍＹ↓［２］Ｏ↓［３］，其中０．６≤ｘ≤０．９，０．１２ｗｔ...

本发明公开了一种α－溴代苯乙酮类化合物的合成方法，包括以下步骤：在３０－９０℃下向取代苯乙酮与溴酸盐混合物中加入亚硫酸氢盐溶液，搅拌反应２－９小时，冷却、过滤、洗涤、干燥，得到α－溴代苯乙酮类化合物。本发明还具有以下优点：产品纯度高，溴...

本发明涉及一种对称型阳离子表面活性剂及其制备方法，所说的表面活性剂为具有式（１）所示结构的化合物；式（１）中，Ｒ选自Ｃ１１～Ｃ１７烷基中的一种或者含有不饱和双键的基团；Ｘ为卤素；ｎ为２～６的整数；所说的对称型阳离子表面活性剂由相应的叔胺...

本发明涉及一种纸张表面处理剂，具体是一种苯丙乳液型高效表面施胶剂及其制备方法，本发明是将４～８０重量份的分散剂、１～５０重量份的乳化剂、１～２０重量份的引发剂、４～１０重量份的交联单体、４～１２０重量份的（甲基）丙烯酸酯类单体、４０～２...

本发明涉及一种不对称型阳离子表面活性剂及其制备方法，所说的表面活性剂为具有式（１）所示结构的化合物；式（１）中，Ｒ１、Ｒ２分别选自Ｃ１１～Ｃ１７烷基中的一种；Ｘ为卤素；ｎ为２～６的整数；所说的不对称型阳离子表面活性剂由相应的叔胺与二卤烷...

本实用新型是一种压电陶瓷耦合固体继电器，其电路组成包括驱动电路、压电陶瓷耦合器、双向可控硅，其中，压电陶瓷耦合器的瓷片两面上烧有银电极（１）、（２）、（３）、（４），前两极是驱动部分，后两极是输出部分，本实用新型具有触发灵敏度高、可靠性...

本发明提出一种具有ＡｌＮ晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法，它是在用直流磁控溅射法在Ｐｔ电极上沉积ＡｌＮ压电薄膜时按下列三个步骤进行：第一步，制作Ａｌ↓［１－ｘ］Ｎ↓［ｘ］的富Ａｌ过渡层。第二步，对此非晶Ａｌ↓［１－ｘ］Ｎ↓［ｘ］的富Ａ...

一种燃料电池用免增湿质子交换膜的制备方法。该方法先将含磺酸侧基的芳杂环聚合物溶解于有机溶剂中形成均匀的聚合物溶液，然后加入氧化物前驱体与无机酸所形成的凝胶，通过超声波振荡使凝胶中的纳米颗粒分散，获得分散均匀的混合液体，再将混合液体室温成...

本发明是对铌镁锆钛酸铅和铌锰锆钛酸铅进行了最佳组合和改性，从而获得在大功率使用下性能优异的铌镁酸铅，铌锰酸铅，锆酸铅，钛酸铅（ＰＭＭＭ）四元系压电陶瓷材料。解决了大功率压电变压器材料问题。用本发明制作的压电变压器，其单片（１００×２５×...

本发明提出了低温烧结具有大各向异性的降压型压电陶瓷的配方为：（Ｐｂ↓［１－Ｘ］Ｃａ↓［Ｘ］）（Ｚｎ↓［１／２］Ｗ↓［１／２］）↓［ｔ］（Ｎｉ↓［１／３］Ｎｂ↓［２／３］）↓［ｕ］Ｔｉ↓［ｖ］Ｏ↓［３］＋ｙＭｎＣＯ↓［３］＋ｚＰｂ（Ｃｄ↓...

本发明提出了一种同时具有低表面粗糙度、高介电常数、低漏电流和高界面质量的ＨｆＯ↓［２］栅介质薄膜及其ＭＯＳ电容器件制备方法。它以硅片为基片，其特征在于用脉冲激光沉积技术在其上沉积一层ＨｆＯ↓［２］薄膜，再磁控溅射设备制备低电极和上图形电...

本发明公开了一种无催化剂无碳条件下ＺｎＯ纳米棒阵列的结构和性能的控制工艺。工艺为：（１）分别采用射频磁控溅射和激光脉冲沉积技术在ＨＦ酸刻蚀后的硅衬底上制备不同质量和性能的ＺｎＯ籽晶薄膜。（２）将ＺｎＯ籽晶薄膜和高纯ＺｎＯ纳米粉放在管式炉...

本发明首先制备出以ＭｇＯ作为掺杂改性剂，以ＣｄＯ／ＳｉＯ↓［２］组合作为低熔点添加剂的四元系铌镁铌锰锆钛酸铅（ＰＭＭＮ）压电陶瓷材料，是一种可用于叠层压电陶瓷耦合器制作的高压电活性、高介电性能、低温烧结压电陶瓷材料。该材料的组成为：Ｐｂ...