【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有AlN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法,用直流磁控溅射法在Pt电极上沉积AlN压电薄膜时,其特征是按下列三个步骤进行,第一步,制作Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层,调节反应气氛为Ar∶N↓[2]=99∶1~95∶5,工作气压0.1~0.7Pa,靶基距3~10cm,衬底温度300~400℃,功率50~200W,直流磁控溅射0.5~2分钟,在Pt电极上沉积一层10nm左右的Al↓[1-x]N↓[x](0.05<x<0.5)富Al过渡层;第二步,晶化退火,调整衬底温度到400~550℃,对此非晶Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层进行晶化退火处理15~30分 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:顾豪爽,李位勇,胡明哲,张凯,陈侃松,
申请(专利权)人:湖北大学,
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]
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