当前位置: 首页 > 专利查询>湖北大学专利>正文

具有AIN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法技术

技术编号:3405965 阅读:165 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出一种具有AlN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法,它是在用直流磁控溅射法在Pt电极上沉积AlN压电薄膜时按下列三个步骤进行:第一步,制作Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层。第二步,对此非晶Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层进行晶化退火处理。第三步,在晶化退火处理后的Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层上直流磁控溅射沉积一层c轴取向AlN压电薄膜。本发明专利技术能控制过渡层的厚度、改善过渡层的应力性能、提高晶粒C轴取向,制作出高性能的体声波谐振器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有AlN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法,用直流磁控溅射法在Pt电极上沉积AlN压电薄膜时,其特征是按下列三个步骤进行,第一步,制作Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层,调节反应气氛为Ar∶N↓[2]=99∶1~95∶5,工作气压0.1~0.7Pa,靶基距3~10cm,衬底温度300~400℃,功率50~200W,直流磁控溅射0.5~2分钟,在Pt电极上沉积一层10nm左右的Al↓[1-x]N↓[x](0.05<x<0.5)富Al过渡层;第二步,晶化退火,调整衬底温度到400~550℃,对此非晶Al↓[1-x]N↓[x]的富Al过渡层进行晶化退火处理15~30分钟;第三步,制作Al...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:顾豪爽李位勇胡明哲张凯陈侃松
申请(专利权)人:湖北大学
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利