本发明公开了一种四自由度倒装键合头，包括一个基于滚珠花键副的两自由度串联机构、一个两自由度的并联机构和吸嘴。在串联机构中，滚珠花键轴通过转动副与滑块相连，驱动滑块实现倒装键合头Ｚ方向的移动；其套筒通过另一转动副固定在机架上，驱动与套筒固...

本发明公开了一种氧化钒薄膜微型光开关及其制作方法。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之...

一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本发明加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上...

本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β－ＦｅＳｉ↓［２］半导体薄膜的方法，将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空，气压１０↑［－５］～１０↑［－３］Ｐａ，以ＦｅＳｉ↓［２］合金为靶材，将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内，靶材和基片平行，且相距２０...

本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品...

本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。其步骤为：①在洁净的硅片上溅射Ｃｒ膜，Ｃｒ膜厚度为５０ｎｍ～６００ｎｍ；②在Ｃｒ掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在（ＮＨ↓［４］）↓［２］Ｃｅ（ＮＯ↓［３］）↓［５］溶液中对Ｃｒ掩模层进行刻蚀，（ＮＨ↓［...

本发明提供了一种Ｂｉ－Ｓｂ－Ｔｅ系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Ｂｉ∶Ｓｂ∶Ｔｅ＝２ｘ∶２－２ｘ∶３配比，０．１≤ｘ≤０．３，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比１０∶１～２０∶１，球磨转速３００～４００ｒ...

本发明是一种基于偏光光源的背光模块装置。其结构是：包括基板（４）；偏振光光源（５），设置在该基板之上；以及光学薄膜（３），它们依次光路连接。偏振光光源设置在基板之上。光学薄膜设置于所述偏振光光源之上。本发明用于液晶显示器作为背光照明光源...

本发明公开了一种直写电子／光电子元器件的微细笔及由其构成的装置。微细笔的结构为：减压装置位于笔帽内，并与位于笔帽顶部的施压气管相连，笔帽的下端与笔筒的上端活动、密封连接构成储料腔，储料腔用于储存需要沉积的物料，笔筒的下端为笔尖。该微细笔...

本发明是一种单片集成白光二极管，其表面设有Ｐ型电极（１２）和Ｎ型电极（１３），其内部由下往上依次有分布式布拉格反射器（１４）、衬底（１）、缓冲层（２）、第一下包层（３）、第一有源区（４）、第一上包层（５）、光子晶体层（６）、第二下包层（...

本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法，本发明铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为１０～３０ｎｍ；下电...

一种硅／玻璃激光局部键合方法，属于晶圆键合技术，目的在于使特定区域局部高温，实现键合，并具有高的键合强度，晶圆或器件整体上处于较低温度，不产生不必要的温度梯度和应力场分布，以避免已经集成的压力、温度等传感器件的性能受到影响。本发明顺序包...

本发明公开了一种微纳深沟槽结构测量方法及装置，能够同时测量微纳深沟槽结构沟槽深度、宽度和薄膜厚度。其方法是将红外光束投射到含有深沟槽结构的硅片表面，分析从深沟槽结构各分界面反射形成的干涉光得到测量反射光谱；采用等效介质理论构建该深沟槽结...

本发明属于铁电存储器技术，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、底电极金属层、缓冲层、铁电薄膜层和顶电极金属层构成，缓冲层的材料为ＴｉＯ↓［２］，厚度为１０－３０ｎｍ。...

本发明公开了一种半导体氧化物气敏元件制备方法，①将印有加热电极和测量电极的基片清洗干燥后放置在可溶性金属盐的水或醇溶液中浸泡，烘干、加热分解，形成晶种；②将同种金属离子的可溶性盐配成水或醇溶液；采用相同的溶剂配制沉淀剂溶液，并将其滴入水...

本发明公开了一种无铅压电厚膜的丝网印刷制备方法，包括：①固相法制备无铅压电陶瓷粉体；②将粘合剂按质量比为３∶１００～９∶１００溶解到松油醇中得到有机混合物；③将无铅压电陶瓷粉料与有机混合物按质量比１５∶１０～９０∶１０混合，加入分散剂，...

本发明提供了一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片...

本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为１００～４００ｎｍ，短波长光照射光强为５～３０ｍＷ／ｃｍ↑［２］，活化时...

一种复合热释电材料，为聚偏二氟乙烯与Ｐｂ↓［１＋ｘ］（Ｓｃ↓［０．５］Ｔａ↓［０．５］）Ｏ↓［３］纳米陶瓷粉体的复合材料，０．０５≤ｘ≤０．１，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为３０～７０％。

本发明属于半导体器件制造技术，为一种改善金属－Ｐ型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为：①先合成和提纯纳米碳管；②在Ｐ型半导体上制备纳米碳管薄膜；③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再沉积一层光刻胶；然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定...