本发明公开了一种微纳深沟槽结构在线测量方法及装置。其方法是将线偏振红外光束投射到含有深沟槽结构的样件表面，对沟槽结构各界面反射光形成的干涉信号进行滤波等处理得到测量反射光谱；采用基于偏振的等效介质理论构建该深沟槽结构等效光学模型，计算其...

本发明提供一种视觉引导下的拾放装置，用于需要精确定位和拾放的ＩＣ封装过程。本发明包括基座、贴装头、摄像头、微处理器、第一定位平台、第二定位平台和防撞保护电路，第一定位平台和第二定位平台在基座表面沿ｘ向移动，安装于第一定位平台的贴装头和安...

本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜（ＰＩ膜）。其主要工艺步骤为：（１）清洗柔性衬底（ＰＩ膜）；（２）预烘ＰＩ膜；（３）制备Ａｌ背电极；（４）制备ＺｎＯ薄膜缓冲层；（５）利用ＰＥＣＶＤ制备ＮＩ...

本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺，该电池采用“玻璃衬底／ＴＣＯ（透明导电薄膜）／顶层ＰＩＮ非晶硅薄膜／第二层ＰＩＮ非晶硅薄膜／第三层ＰＩＮ非晶硅薄膜／Ａｌ底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为：（１）清洗基片；（...

本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为１００～２００ｎｍ...

本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用ＰＺＴ前驱体溶液浓度为０．１～０．３ｍｏｌ／ｌ。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为１０～１５ｍＷ／...

一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本实用新型加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧...

本实用新型公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容，该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为１０～３０ｎｍ；下电极金属层的厚...

本实用新型公开了一种四自由度倒装键合头，包括一个基于滚珠花键副的两自由度串联机构、一个两自由度的并联机构和吸嘴。在串联机构中，滚珠花键轴通过转动副与滑块相连，驱动滑块实现倒装键合头Ｚ方向的移动；其套筒通过另一转动副固定在机架上，驱动与套...

本发明公开的铁电场效应晶体管，其存储介质层为钛酸铋（ＢＩＴ）薄膜。其制备方法为：在清洗后Ｓｉ基片上涂布光刻胶、曝光、显影，得到套刻标记图形后，再刻蚀，得到套刻标记凹痕；涂布光刻胶，光刻形成源区和漏区的注入窗口；进行Ｎ↑［＋］离子注入，形...

本发明公开的Ｓｉ基Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［３］Ｏ↓［１２］铁电薄膜的制备工艺，采用钛酸丁酯，冰醋酸，硝酸铋，乙酰丙酮配制Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［３］Ｏ↓［１２］溶胶，其配比为：（ａ）钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为３．００∶４．２０－４．４０；（ｂ）...

一种制备Ｓｉ基铁电薄／厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充—掏空”技术制备Ｓｉ基铁电薄／厚膜型微绝热结构阵列，避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测...

微机电系统后封装工艺，涉及印刷电路、集成电路制造和微电子器件封装领域，在限制区内取得高温以得到更好的键合强度，而在晶元级保持低温以保护ＭＥＭＳ微结构和微电路，同时进一步提高封装的气密性。本发明步骤为（１）在盖板上加工与底板ＭＥＭＳ器件相...

一种基于金锡共晶的硅／硅键合方法，依次包括以下步骤：　　　　（１）清洗待键合的硅片表面；　　　　（２）硅帽层制备：通过溅射法，在帽层的待键合处表面镀１０－２０ｎｍ厚的Ｃｒ膜，然后蒸发或电镀３－１０ｕｍ厚Ａｕ膜；　　　　（３）硅衬底制备：...

本发明公开了一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法。该方法是利用叠层原理制造具有任意曲面的三维模压刻蚀模具，然后将该三维模具对衬底上的软质材料层进行模压刻蚀，得到微系统的三维结构。该方法的关键技术三维模具的制造，是通过叠层制造的...

本发明属于铁电薄膜材料制备方法，在传统Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法的基础上，先在基片上提供一层种子层，在其上反复旋涂ＢＳＴ溶胶，以制成均匀的ＢＳＴ薄膜。本发明步骤：以醋酸铅Ｐｂ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［３］Ｏ↓［２］）↓［２］溶于水和冰醋酸ＣＨ↓［３］ＣＯ...

一种局部键合后封装方法，其特征是包括以下步骤：　　　　（１）将拟键合的二芯片清洗，二芯片中，一为在激光波长处透明的芯片（１０２），另一为在激光波长处具有较高吸收率的芯片（１０３）；　　　　（２）将所述的二芯片分别放在载片台（１０４、１０...

本发明是一种多芯片集成的发光二极管框架，具有两种框架构造，一种是采用梳状电极，另外一种是采用筒状电极。在这两种框架之上均可集成多个发光二极管芯片，提高单个封装发光二极管的发光强度，同时改善发光二极管的散热性能。

本发明公开了一种基于纳米碳管的互连方法，包括：在硅基底上用电子束蒸发一层厚度为２０～２００ｎｍ的铝膜；采用阳极氧化法将铝膜制备成多孔氧化铝模板；根据硅基底的互连需要，采用曝光、湿法显影和干法刻蚀，制作开有通孔的掩膜板；将开有通孔的掩膜板...

集成电路芯片视觉对准方法，属于集成电路芯片封装方法，针对现有方法局限，实现芯片上键合点快速准确对准。本发明在引线框架和芯片上分别选取设计样本点，图像处理求出样本点测量坐标值，根据图像不变矩检测出有缺陷的芯片；解得芯片位置变换参数再由其得...