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华威大学专利技术
华威大学共有34项专利
颗粒感测装置制造方法及图纸
公开用于颗粒感测的装置(1)。装置包括传感器(2),传感器(2)包括具有谐振频率的体声波谐振器(4)、布置为支撑谐振器的声学镜(5)以及与谐振器热连通以使得谐振器温度基于加热器温度的加热器(9)。装置还包括连接到传感器的电路(3)。电路...
离子导体制造技术
用于电化学装置的固体离子传导材料包含源自具有钙钛矿、钙铁石、层状氧化物和/或K4CdCl6结构的氧化物的羟基氧化物或水合氧化物,初始氧化物的元素组成被选择为向衍生的无水或水合羟基氧化物或水合氧化物提供合适的传导特性。还公开了一种制备这种...
用于润滑内燃机的润滑组合物和润滑内燃机的方法技术
本发明尤其提供了一种生产低分子量分散剂聚甲基丙烯酸酯聚合物(“LMWDPMA”)的方法和LMWDPMA本身、以及LMWDPMA在润滑组合物中的用途、以及用于润滑内燃机的方法,如本文所公开。如本文所公开。
用于将pH敏感的硼掺杂金刚石电极碳区改性的方法技术
本申请提供了一种用于将硼掺杂金刚石电极表面上的碳区改性的方法,所述方法包括:将硼掺杂金刚石电极表面放入水溶液中,其中所述水溶液包含离子处理溶液;在所述硼掺杂金刚石电极表面上施加电压差;和将所述硼掺杂金刚石电极表面的区域上的碳区改性,其中...
确定认知障碍的方法技术
确定受试者是否患有轻度认知障碍(MCI)或阿尔茨海默病的方法,该方法包括测量受试者呼出样本中的一种或多种VOC的浓度,并将该浓度与参考浓度I进行比较。与参考浓度I进行比较。与参考浓度I进行比较。
B族链球菌感染制造技术
用于确认受试者不患有B族链球菌(GBS)感染的筛查方法,该方法包括:确定取自受试者的生殖器粘膜的样本中是否不存在GBS
催化剂制造技术
一种由以下通式(1)表示的化合物,例如二胺配体:其中每个
活动细胞分选装置制造方法及图纸
公开一种活动细胞分选装置。该装置包括腔室(4)、与该腔室流体连通的入口(5)和出口(6)以及设置在该腔室中的多个分立阻隔件(8)。每个分立阻隔件包括至少一个壁部(15、16)和至少一个朝向出口的锐角边缘(17)。一个朝向出口的锐角边缘(...
前导序列制造技术
本发明提供了光杆状菌毒力盒(PVC)效应子前导序列的用途,用于将有效载荷包装到PVC针状复合物中,以及用于制造包装的PVC针状复合物的相关方法。有效载荷是选自多肽、核酸或其组合的一种或多种,并且前导序列和有效载荷形成不同于野生型PVC效...
采用含有SP2碳区域的硼掺杂金刚石基PH电极对含水样品的pH测量制造技术
一个实施方案提供了一种用于测量含水样品中的pH的装置,所述装置包括:包括第一碳区域的至少一个测量电极(400),其中所述碳区域包括单个pH敏感的碳区域,其中所述测量电极的单个pH敏感的碳区域是硼掺杂金刚石基pH电极的sp2碳区域(402...
基于缺陷中心的传感器制造技术
公开了一种基于缺陷中心的传感器。所述传感器包括:仪器,所述仪器包括发生器(18),所述发生器用于在有源元件例如金刚石中引起激发;和检测器(20),所述检测器用于测量所述有源元件中的跃迁。所述发生器是光源和/或所述检测器是光检测器。所述传...
用于提高基因组工程化效率的方法技术
本发明涉及用于真核细胞中基因组工程化的方法和材料,并且特别涉及经由递送一个或多个RKD2和RKD4基因以及基因组工程化组分来提高基因组工程化(即转化或基因组编辑)效率的方法。方法。方法。
包含阴离子空位晶格的哈伯-博施催化剂制造技术
用于催化哈伯
拟肽的大环化制造技术
本发明提供了一种通过分离收率和产物分布来进行测量的拟肽大环化的改进方法,所述方法包括用转变诱导性基序取代主链酰胺C=O键中的一个或多个酰胺C=O键。所述方法是通用的,其中在一系列环大小(例如,三肽、四肽、五肽和六肽)上均可以见到增强。具...
超声夹持式流量计制造技术
公开了一种超声夹持式流量计。该流量计包括成型的耦合元件。
质谱分析制造技术
一种进行质谱分析的方法,包括:使用静电或电动离子阱来容纳多个离子,每个离子具有质荷比,离子具有第一多个质荷比,每个离子沿着具有半径的静电或电动离子阱内的路径;并且对于第二多个质荷比中的每一个:依赖于质荷比,以质荷比依赖性方式调整离子半径...
植入前筛选制造技术
本发明涉及评估胚胎的生存力的方法,其中所述方法包括以下步骤:测量培养基样品中选自TMPRSS2或PRSS8的蛋白质标志物的水平和/或活性,其中所述样品从通过体外受精产生的胚胎的体外培养基获得,其中所述蛋白质标志物的水平和/或活性指示所述...
在单晶硅上生长外延3C‑SiC制造技术
公开了一种用于在单晶硅上生长外延3C‑SiC的方法。该方法包括在冷壁化学气相沉积反应器(7)中提供单晶硅基板(2),将基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度,当基板处于所述温度时,将气体混合物(41)引入反应器中,所述...
功率半导体器件制造技术
描述了功率半导体器件。所述器件包括碳化硅衬底(2)以及具有不大于5μm的厚度tsi的单晶硅层(3),单晶硅层(3)直接设置在所述衬底上或直接设置在具有不大于100nm的厚度的界面层(22;图2)上的,所述界面层直接设置在所述衬底上。所述...
测辐射热仪制造技术
描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91;图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10),在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中,谷...
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