华盛顿卡内基研究所专利技术

华盛顿卡内基研究所共有9项专利

  • 本发明涉及增加植物的发育种子中的至少一种糖的水平的方法,其中这些方法包括在植物细胞中插入编码至少一种糖转运体蛋白(SWEET蛋白)的外源核酸以产生转基因植物细胞,并且使该转基因植物细胞经受促进在种子发育过程中表达该至少一种SWEET蛋白...
  • 一种用于检测固体应变和变形的装置,包括: 一个在结构和配置上适合于插入固体中的壳体,所述壳体具有限定一个大致密闭容器的壁,所述容器有一个把该容器分隔成一个上密闭段和一个下密闭段的内部分隔壁; 一种大致充满下密闭段并且可在下密...
  • 一种用来检测地下岩层应变和变形的仪器包括: 一种被制造和设置成能被插入延伸到地层中钻孔的基本封闭的容器; 一种从所述容器中延伸出来的细长管,且在其第一端处与容器以流体联通方式连接,通常该管长度足够使其第二端延伸至地面; ...
  • 一种在沉积室内生产金刚石的装置,包括:用于夹持金刚石并与金刚石的邻近于其生长面的一边的侧面热接触的散热夹具;设置用来测量沿金刚石生长面的温度的非接触式温度测量装置;和用于接收来自上述非接触式温度测量装置的温度测量数据并控制生长面的温度使...
  • 一种通过使CVD金刚石升高到在金刚石稳定相之外的至少1500℃的设定温度和至少4.0GPa的压力来改进CVD金刚石光学透明度的方法,在这里该CVD金刚石是单晶CVD金刚石。
  • 一种通过微波等离子体化学气相沉积生长、在超过4.0GPa的压力下加热到超过1500℃的温度进行退火的单晶金刚石,其硬度大于120GPa。一种制造硬单晶金刚石的方法包括生长单晶金刚石和在超过4.0GPa的压力和超过1500℃的温度下使该单...
  • 本发明涉及一种通过微波等离子体化学汽相沉积法生长的单晶金刚石,其韧度为至少大约30MPa  m↑[1/2]。本发明还涉及一种制造韧度为至少大约30MPa  m↑[1/2]的单晶金刚石的方法。本发明进一步涉及一种在单晶金刚石基材上制造三维...
  • 一种立方相C↓[3]N↓[4],其零压体积弹性模量超过了金刚石。
  • 一种通过微波等离子体化学气相沉积生长的单晶金刚石的硬度为50-90GPa,断裂韧性为11-20MPa  m↑[1/2]。用于生长单晶金刚石的方法包括将晶种金刚石置于夹具中;在大约1000℃至大约1100℃的温度下生长单晶金刚石,使得单晶...
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