随着通讯设备传输速度的不断加快，数据线保护器件电容越来越小，但功率耐量仍然较高，传统的加工结构已无法达到设计要求。尽管将瞬态电压抑制芯片和低电容器件芯片集成在同一芯片上可减少芯片占有空间，但功率耐量将受到损失。一种提高微型低电容保护器件...

玻璃钝化二极管，单向或双向，常用深结扩散工艺，Ｎ型单晶片或Ｐ型单晶片，在其上通过掺硼或掺磷，进行高温扩散，形成较深ＰＮ结。然后进行传统的玻璃钝化。但由于产品高压或者功率的要求，ＰＮ结很深，从而台面腐蚀深度很深，特别是对硅片厚度要求较薄的...

小于５Ｖ的低压保护器件通常用铝合金结工艺，或者多晶掺杂工艺形成浅结低压工艺，但所制造的器件由于漏电流大，导致应用中的设备功耗增加。本发明采用Ｐ型或Ｎ型单晶抛光片，通过异型掺杂或外延，形成Ｐ（Ｎ）－Ｎ（Ｐ）结构，通过隔离及在有源区注入或扩...

半导体保护器件常用深结扩散工艺，常用Ｎ型单晶片或外延片；Ｐ型单晶片或Ｐ型外延片，在其上通过氧化光刻形成窗口，再通过离子注入或扩散Ｐ型杂质或Ｎ型杂质形成较深ＰＮ结。使其界面处，曲率半径平缓，承受大ＥＳＤ功率冲击。但由于长时间高温扩散，缺陷...