本发明公开了一种数据库SQL查询的方法，其特点是具体包括：1）系统初始化；2）数据需求方发起查询请求；3）数据供应方根据数据需求方需要查询的列构造混淆布隆过滤器；4）数据需求方根据自己的本地数据构建布隆过滤器；5）执行不经意传输协议；6...

本发明公开了一种利用N

本发明提供一种应用于智能终端的导盲方法、系统以及智能终端，包括：采集包含盲道识别区域的图像；利用经预训练后的盲道识别模型对所述图像进行识别，获得与该图像的盲道识别区域相对应的盲道路况信息；根据所述盲道路况信息生成对应的导盲路径，并向外播...

本发明公开了一种基于深度残差傅里叶变换的图像盲去模糊方法，包括以下步骤：获取图像去模糊数据集，对图像去模糊数据集进行预处理，获得图像去模糊数据集的训练集；基于训练集中的模糊图像、清晰图像，对初始深度残差傅里叶变换网络进行训练，获得目标深...

本发明公开了一种面向基于采样的图神经网络训练的数据加载系统，该数据加载系统包括：邻居节点采样器和数据传输器；邻居节点采样器，以深度学习框架Pytorch的Dataloader的输出为输入，利用采样算子采样邻居节点；数据传输器包含分类器、...

本发明公开了一种基于原型图神经网络和小样本学习的罕见病分类方法，其包括：收集罕见病人脸样本构成数据集，按照n

本发明提供了一种用于曲妥珠单链抗体及与其序列同源的单链抗体的变复性方法，采用本发明方法制得的复性单链抗体重组蛋白溶液，该单链抗体重组蛋白所处的溶剂即为使用者后续实验所需的缓冲液，无需再进行缓冲液的置换，同时最终产物中单链抗体蛋白的浓度能...

本发明提供了一种有机碱度自动化测定系统，包括进样模块、检测模块、排废液模块、终端控制模块；在有机碱度测定的过程中，所述终端控制模块能够根据实时的测定结果输出匹配样品与试剂的剂量的进样指令；控制所述进样模块再次匹配样品与试剂的剂量，通过所...

本发明公开了一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法，所述晶体管以铟作为保护层，二硫化铪作为沟道。首先，通过机械剥离法使用3M思高胶带从二硫化铪块材上剥离出二硫化铪层状材料；然后，将附着有二硫化铪材料的胶带粘到黏性凝胶膜上，通过光学...

本发明公开了一种非侵入式Java开源软件的二次开发方法，其特点是该方法基于运行时字节码修改的开源软件二次开发，具体包括：插件开发和动态替换等步骤，所述插件开发使用Java语言编写各个指定方法被修改后的程序逻辑并将代码编译为插件；所述动态...

本发明公开了一种基于压缩感知的四维高速荧光显微成像装置，包括荧光显微系统、数据编码与采集系统、同步控制系统及数据处理与重构系统；本发明由荧光显微系统激发待测样品产生荧光动态场景；由数据编码与采集系统加载编码、调制，生成两束编码互补的荧光...

本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种基于对抗训练的半监督CT图像分割方法，包括以下步骤：首先获取肺部的三维CT图像，建立体素级标注的患病数据集、未标注的患病数据集及健康数据集；接着将三种数据集中的CT图像依次输入给生成器和分割器，分...

本发明公开了一种基于Chisel的参数化硬件神经网络构建方法，所述方法包括：使用Tensorflow深度学习框架训练神经网络，将所述神经网络训练好后使用编写的Python脚本导出神经网络各个层的类型参数、配置参数、权重参数；将上述导出的...

本发明公开一种阿拉伯语文本识别方法及系统，其方法包括步骤：对输入图像进行特征提取，获取具有高级语义的特征图F；从特征图F中获取每个时间步的通道注意力特征Ac；从特征图F中获取每个时间步的空间注意力特征As；对特征图F、通道注意力特征Ac...

本发明公开了一种基于联邦学习的交通流量预测方法，其特点是采用差分隐私技术对梯度信息加噪的方法，在客户端

本发明公开了一种用于细胞线粒体内Cu

本发明公开了一种用于预测疾病的去除多站点功能磁共振成像异质性方法，其特点是该方法包含：获取多站点静息态fMRI数据和表型数据集；应用HO脑图谱提取fMRI数据通过Fisher变换后的脑网络功能连接矩阵并进行特征工程；将脑网络特征通过双头...

本发明提供一种新的洗浴用品组合物及其制备方法和应用。其包括月桂酰精氨酸乙酯(LAE)离子对衍生物。本发明还提供制备含有所述消毒剂和稳定剂的洗浴用品的方法及其制备的洗浴用品组合物。本发明的洗浴用品组合物，其消毒剂具有天然无毒、高效抑菌、易...

本发明提供一种新的口腔护理组合物，其包括月桂酰精氨酸乙酯(LAE)离子对衍生物。本发明还提供制备含有所述衍生物的口腔护理组合物的方法及其制备的口腔护理组合物。本发明的口腔护理组合物，其衍生物具有天然无毒、高效抑菌、易于降解、环境友好的特...

本发明公开了一种全隔离N型LDMOS器件及其制备方法，所述器件设有双层深度不同的深沟槽隔离结构（DTI）：深度深沟槽结构位于外侧，用于隔离埋层NBL；深沟槽结构位于内侧，用于LDMOS器件的横向隔离，形成全隔离LDMOS器件。制备过程中...