宏海微电子股份有限公司专利技术

宏海微电子股份有限公司共有6项专利

  • 本发明公开了一种具有物联网控制能力的摄影红外线LED灯板装置,包含:一光传感器、一讯号控制器、一物联网接口及一红外线LED阵列板;该光传感器感应一环境亮度产生一感应模拟电压,该讯号控制器连接于该光传感器,且针对该感应模拟电压进行处理,该...
  • 本实用新型公开了一种具有物联网控制能力的摄影红外线LED灯板装置,包含:一光传感器、一讯号控制器、一物联网接口及一红外线LED阵列板;该光传感器感应一环境亮度产生一感应模拟电压,该讯号控制器连接于该光传感器,且针对该感应模拟电压进行处理...
  • 本实用新型公开了一种高分辨率视频传输系统,包括发送端模块及接收端模块。发送端模块压缩并封装第一视频数据为媒体存取控制讯框,并经由以太网电缆传送复数媒体存取控制讯框至接收端模块。接收端模块接收并解封装该复数媒体存取控制讯框为与该第一视频数...
  • 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构,包括P-型衬底、N+型埋层、N型外延层、P型阱、N型阱、漏极区、源极区以及本体区,其中N+型埋层位于P型衬底与N型外延层之间,P型阱接触N+型埋层,源极区与本体区位于P型阱,N型...
  • 本发明公开了一种音效电源供应结构,包括一通用序列总线(Universal?Serial?Bus,USB)电源供应源、一外部音讯源、一音效单元以及一外部喇叭,其中USB电源供应源提供USB电源给音效单元,使得音效单元获得USB电源后可接收...
  • 一种应用于实现高电压高电流金属氧化物半导体电路结构,包括:一深-N井、一位于NWD之内的P井、多个位于NWD与PW之内的n+掺杂区以及p+掺杂区、多个场效氧化区、一连接至一该掺杂区的基体、一连接至一掺杂区的源极、一连接至一掺杂区的漏极、...
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