通过周期性地执行一系列全程查找操作在操作期间完成清洁驱动中的记录头滑块，其中可移至该磁头滑块的液体污染物从该滑块处被甩出，并且来自该磁盘表面的液体可被吸附至该滑块从而通过示甩出的方式移除。因此，磁头磁盘间距可被稳定且数据写入操作被改进。...

提供了一种用于实现基于噪声检测用于微波辅助磁记录(MARM)硬盘驱动(HDD)的自旋转矩振荡器(STO)上电的方法、装置及系统。检测自旋转矩振荡器产生的低频噪声，例如10kHz和100MHz间频率范围内的噪声。将检测的(STO)噪声与预...

用于退火磁写入元件的近场光学换能器的金属天线而不会无意热损坏读取元件的方法。加热元件被放置在读取和写入头的有源区之外的瑟夫区域中构建的写入头中。导热电绝缘材料层形成在加热元件之上，以将天线与所述加热元件分隔开。导热电绝缘层优选地接触天线...

隧穿磁阻(TMR)读头具有减小厚度的读间隙。多层的籽层包括在下屏蔽上的铁磁的第一籽层、在第一籽层上的铁磁的NiFe合金以及在NiFe籽层上的Ru或Pt的第三籽层。第一籽层和NiFe籽层是下屏蔽的磁性部分，从而有效地减小读间隙厚度。自由层...

一种用于管理闪速存储系统的机器实现的方法，包括接收用于数据操作的命令。该方法包括确定该闪速存储系统中多个闪速存储器设备中的每一个闪速存储器设备的预计寿命值，其中，该多个闪速存储器设备中的至少一个闪速存储器设备的该预计寿命值高于该多个闪速...

提供了一种磁性存储器元和实施用于固态驱动器(SSD)的磁性存储器元的方法。磁性存储器元包括第一导体M1和第二导体M2，以及使用未图案化可编程磁性介质的可编程区域。导体M1、导体M2中的至少一个由磁性材料形成，并且导体M2比导体M1更导电...

一种用于管理闪存存储系统的机器实现的方法包括：确定该闪存存储系统中的多个闪存装置的每一个的预测寿命值，其中所述多个闪存装置的至少一个的预测寿命值高于所述多个闪存装置的至少另一个的预测寿命值。该方法还包括基于所述多个闪存装置的相应预测寿命...

提供了一种与互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路集成的磁性存储器，以及一种与固态驱动器(SSD)中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路集成的磁性存储器的实施方法。提供了互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，并且在CMOS晶...

公开了用于改进闪速存储器清除的技术。在一些实施例中，所述技术可以被实现为改进闪速存储器清除的方法，该方法包括：接收向闪速存储器写入的请求；向闪速存储器写入与该请求相关联的数据；标识指向与该请求的写入区域相对应的区域位图的指针；将与该请求...

为提供数据存储装置和系统的增强操作，在这里提供了各种系统、设备、方法和软件。在第一实例中，呈现了数据存储系统。该数据存储系统包括数据存储装置，该数据存储装置包括用于数据的存储和检索的介质。该数据存储系统包括配置为接收用于一个或多个数据存...

在一个实施例中，一种磁记录头包括：主极，配置为产生用于在磁记录介质上记录数据的磁场；振荡装置，在磁道方向上设置在所述主极上方，所述振荡装置配置为产生高频率磁场；磁性盖层，在所述磁道方向上设置在所述振荡装置上方，所述磁性层具有位于所述磁记...

一种数据存储装置和组装数据存储装置的方法。数据存储装置包含弯曲的金属片封盖的多个侧壁，弯曲的金属片封盖为预先形成或者原位成形，或者缸式封盖的多个连续的侧壁和角部部分，通过使用施加的环氧树脂粘合剂或压敏粘合胶带密封，使缸式封盖与外壳基部的...

一种储存装置包括包含多个存储器装置的主储存阵列，一个或多个奇偶校验存储器装置和配置为存储数据块的控制器。控制器可以被配置为至少通过以下来存储数据块：将数据块写入到主储存阵列，确定用于数据块的奇偶校验数据，和将所确定的奇偶校验数据的至少一...

一种储存装置可包括处理器和存储装置，该存储装置包括多级存储单元。该处理器可使第一物理页面地址和第二物理页面地址相关，每一地址与所述多级存储单元关联。该处理器还可向存储单元应用第一读操作，以确定与第一物理页面地址关联的第一比特的值。该处理...

本公开的实施例通常涉及非易失性存储器，并且特别涉及具有可调整的单元位形状的非易失性存储器。在一个实施例中，提供了一种可调整的存储器单元。该存储器单元通常包括栅电极，至少一个记录层和沟道层。该沟道层通常能够支持耗尽区并被设置于该栅电极和该...

为了提供数据存储设备和系统的增强式操作，在此提供各种系统、装置、方法和软件。在第一示例中，提出一种数据存储系统。所述数据存储系统包括：数据存储设备，被配置用于存储和检索数据；电源模块，被配置为将功率提供给至少所述多个数据存储设备；以及管...

描述具有取决于写入数据信号图案而动态地调整写入驱动器的信号波形的通道系统和写入驱动器预放大架构的盘驱动器。所述波形控制信号生成于所述通道中，并且发送到所述写入驱动器预放大器。本发明实施例提供使用幅度等级调制(AML)信号的离散n等级过冲...

本公开的方面提供磁致电阻随机存取存储器(MRAM)装置及其制造方法。该MRAM装置一般包含：基板，设置在基板上的至少一个磁隧道结(MTJ)堆叠体，其中MTJ堆叠体包含在具有固定磁化的第一铁磁层与具有不固定磁化的第二铁磁层之间的隧道势垒层...

本文公开的实施例总体上涉及一种用于MAMR的磁记录介质。所述磁盘装置可以包含基板和磁层，所述磁层包含钡基六角铁氧体。所述磁记录介质还可以可选地包含软底层、籽晶层，和/或上覆层。

本文公开的实施例总体上涉及一种形成HAMR头的方法。所述方法包含使用按需滴喷工具在滑块表面的一部分上沉积按需滴喷掩模。所述滑块的表面包含NFT的至少一部分。第一保护层沉积在滑块表面的剩余的部分之上，以及按需滴喷掩模之上。将按需滴喷掩模以...