本发明的优选方面提供含有硝酸铵和至少一种第二化合物的硝酸铵组合物，所述第二化合物在显著降低该组合物的爆炸灵敏度和／或改进该组合物所希望的性质的条件下和数量下存在。在特定实施方案中，第二化合物选自硫酸铵、磷酸铵、硝酸钙、硝酸钾、硝酸镁、钼...

一种造粒方法包括以下步骤：提供熔化的一第一组分，将熔化的第一组分与至少一第二组分混合。各组分之间反应形成剪切变稀的混合物：对剪切变稀的混合物进行造粒，其中造粒包括在造粒机头中进行机械搅拌以剪切稀释剪切变稀的混合物，使之足以能够进行造粒。...

本发明优选方面提供硝酸铵组合物，其包含硝酸铵和至少一种稳定剂，以及优选地第三化合物。在某些优选实施方案中，稳定剂和第三化合物在条件下并以充分降低组合物的爆炸灵敏度和／或改进该组合物所希望的性质的有效量存在。

本发明提供形成具有改进尺寸稳定性的烧结模塑制件的组合物和方法。更具体地说，本发明是关于具有琼脂添加剂的组合物（琼脂增加组合物的固体负载量）及由此组合物形成注塑制件的方法。增加组合物的固体负载量能使金属或陶瓷制件的形成达到约９８－９９％的...

披露一种树脂传递模塑（ＲＴＭ）方法，它用来以高粘度树脂或沥青快速充填纤维预制件和／或刚性多孔实体。该方法还适用于浸渍重叠在单独模型中的多个多孔实体。该方法使用放置在与所需零件几何形状匹配的模型中的纤维预制件或刚性多孔实体。树脂在一定温度...

一种从废水中去除硒的生物系统（１００），该系统包括第一固定化池生物反应器（ＩＣＢ）（１０１）和硒化物去除组件（３０）。该第一ＩＣＢ包括具有基质（８８）的室（８０），该基质安装在室中且处于使用时接触流经废水的位置。厌氧微生物（９２）载于基...

采用紫外线辐射对流管中的水（５）进行消毒，其中所述流管（１０）对紫外线起流体填充光导向作用，并且所述紫外线通过全内反射作用在所述流管中传播。

具有一系列交替填料层的填充床反应器（１００）。第一填料层（１２０）具有无规填充在最多大约１０个填料单元深的层中的开放体填料单元；第二填料层具有疏水泡沫的多孔载体单元（１１０）。多孔载体单元（１１０）无规填充至最多大约１０个多孔载体单元深...

本发明涉及１，１，１，３，３－五氟丁烷与氟化氢的共沸混合物的应用，即从１，１，１，３，３－五氟丁烷和氟化氢的共沸混合物中分离１，１，１，３，３－五氟丁烷的方法，包括如下步骤：（Ａ）将１，１，１，３，３－五氟丁烷与氟化氢混合，形成基本上由...

本发明涉及一种１，１，１，３，３－五氟丁烷（ＨＦＣ－３６５）与氟化氢的共沸和类共沸混合物，以及一种分离类共沸混合物的方法。本发明的组合物可用作制备ＨＦＣ－３６５的中间体。后者可用作无毒的、零臭氧消耗的、可作为溶剂、发泡剂、制冷剂、清洁剂...

本发明涉及由粗有机溶剂生产高纯度有机溶剂的方法，包括：提供含有第一种量的至少一种杂质的粗有机溶剂料流；将在所述粗有机溶剂中含有的至少一种杂质吸附到吸附剂上，从而获得包括第二种量的所述至少一种杂质的纯化有机溶剂，该杂质的第二种量少于第一种量。

一种制备包含氟化氢、其一种或多种盐或其两种或多种的混合物的高纯度溶液的方法，所述方法通过将氟化氢加入到至少一种无水溶剂中，其中氟化氢以气体或液化气体形式或气体和液化气体的混合物形式加入到一种或多种无水溶剂中。

本发明提供制备无水氟化氢的方法，所述方法包括：提供包含氟化氢和至少一种卤代烃的混合物；和通过使混合物接触低于约９３％重量的硫酸水溶液从混合物中萃取氟化氢。

本发明涉及七氟化碘和氟化氢的共沸和类共沸混合物，所述混合物可用作氟化剂并且用于纯化七氟化碘。

本发明涉及ＨＦＣ－３２与ＨＣｌ或ＨＣｌ和Ｃｌ↓［２］的混合物的共沸和共沸状混合物，以及分离该共沸状混合物的方法。

ＮＦ↓［３］的吸附纯化方法和系统，其中将包含ＮＦ↓［３］和杂质例如ＣＦ↓［４］的粗产物与聚丙烯腈基碳分子筛接触，以便至少一部分的一种或多种杂质被该筛吸附而不显著吸附ＮＦ↓［３］。

一种具有在化学氢化物和来自具有低于０摄氏度的凝固点的液体的蒸汽之间的氢气产生反应的氢气发生器。该液体从纯的使用或用蒸馏水稀释过的诸如乙醇和甲醇的醇，以及已经有溶解在其中的诸如氯化钙或氯化镁的不反应的盐的蒸馏水选择。

本发明公开了减少无水氟化氢的含水量的方法，其中具有第一水杂质浓度的粗制无水氟化氢与碳酰氟接触以生成具有第二水杂质浓度的无水氟化氢，其中该第二浓度低于该第一浓度。

一种化学弹药水解液处理系统在氧化剂存在下用辐射对药剂水解液进行预处理，并通过一系列处理方法对此预处理后的化学药剂和高能材料进行处理，直至达到预选的破坏程度。此处理方法包括对含水有害废物流的生物处理和对空气排出气流的催化氧化。

在一硅半导体衬底中形成一种微电子机械器件。一金属化层形成在一玻璃晶片上。然后，一金属覆盖层在该金属化层上形成。这种组合层具有一小于约５．１７电子伏的小表面功函。该半导体衬底以阳极氧化的方式键合到玻璃晶片上，然后通过刻蚀从该结构上除去硅，...