本发明公开了一种二维铁电超导体的设计方法、系统、设备及介质，涉及超导体设计技术领域，本发明选定一个二维层状超导体作为基底，以通过向二维层状超导体层间引入插入原子的方式来打破二维超导体原有的空间对称性，从而使得插入原子后的层间插层原子结构...

本发明公开了一种基于NbSe<subgt;2</subgt;单层的离子型突触晶体管，属于纳米尺寸电子器件技术领域，该离子型突触晶体管是基于NbSe<subgt;2</subgt;材料的单层结构，离子型突触晶体管两...

本发明公开了一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法，涉及自旋电子学技术领域，包括以下步骤：建立磁性薄膜的结构模型，磁性薄膜为双层结构，在磁性层沿x轴方向对称设有两个缺陷区域，缺陷区域的物理参数值小于磁性层的物理参数值；磁性层与缺...

本发明公开了一种筛选高自发极化强度的铌酸锶钾陶瓷的方法，通过考虑KSN在高温烧结下K<supgt;+</supgt;和Sr<supgt;2+</supgt;以及少量的Nb<supgt;5+</supg...

本发明公开了一种双铁电增强型铁电场效应晶体管及其制备方法与应用，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明制备了基于钌酸锶/铁酸铋/二氧化铪/三硒化二铟的铁电场效应晶体管电子器件，其中钌酸锶作为栅极，铁酸铋作为铁电介电层，二氧化铪作为缓冲层...