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黑龙江大学专利技术
黑龙江大学共有4055项专利
低压高速TTL与非门电路制造技术
本发明公开一种低压高速TTL与非门电路及其提高运行速度的方法,工作电压为1.5伏。退饱和时间t↓[s]是提高速度的主要障碍,本发明可避免逻辑级t↓[s]的影响,提高TTL门电路的速度,达到t↓[pd]小于0.4ns,可降到0.2ns或更...
将一个ECL门改变为ECL锁存器电路结构制造技术
本发明公开将一个ECL门改变为ECL锁存器的电路结构和提高记忆单元速度的方法。至今,任何一个门电路都只能作为组合电路的逻辑单元,没有记忆功能;为完成记忆功能,至少需要二个门电路构成一个记忆单元,一个记忆单元的传输延迟时间至少是一个门电路...
T形网络扩阈型任意值通用门电路的构建方法及七值电路技术
本发明目的是公开一种T形网络扩阈型任意值通用门电路的构建方法及七值电路,设定任意值通用门电路为K值,K=3,4,……;采用K-1=K’个扩阈型NMOS管G↓[i],i=1,2,3,……,K’,扩阈型NMOS管G↓[i]的栅极经阈值扩展电...
MOS管阈值扩展电路和阈值扩展方法技术
本发明公开了一种MOS管阈值扩展电路及阈值扩展方法,电路由阈值鉴别器和反相器二部分组成,阈值鉴别器包括NMOS管G↓[10]、PMOS管G↓[11]和阈值鉴别器负载,反相器包括PMOS管G↓[12]和NMOS管G↓[13]。本发明采用参...
绝热锁存器和无绝热门的绝热CMOS时序电路制造技术
绝热锁存器及其在无绝热门的绝热CMOS时序电路中的应用,目前的绝热时序电路是由绝热触发器和绝热门组成,本发明将“绝热组合电路”和“绝热存储电路”二大部分融合为一整体,使信息存储功能和组合逻辑功能在空间上不可分割,任意绝热时序电路全部由绝...
一种电压闪变检波方法技术
一种电压闪变检波方法,它涉及一种电压闪变调制波的检波方法。本发明为了克服现有的检波方法易受基波电压和基波频率的影响、需要另外设计滤波器、算法比较复杂、不适合在数字测量装置中应用的问题。本发明方法的步骤为:步骤101、设置一个测量周期内的...
供配电线路自适应电流速断保护的实现方法技术
供配电线路自适应电流速断保护实现的方法,它属于供配电线路相间短路故障的保护方法,它克服传统电流速断保护电流整定值一旦确定就固定不变,不能适应电力系统拓扑结构、运行方式与故障类型变化等缺陷。其步骤是:数字式继电保护装置上电准备;赋初值给K...
固体氧化物燃料电池阴极材料制造技术
固体氧化物燃料电池阴极材料,它涉及一种阴极材料。为了解决现有阴极材料无法满足中温氧化物燃料电池阴极材料基本要求的问题,本发明的固体氧化物燃料电池阴极材料的组成通式为A↓[1+x]A↓[1-x]′B↓[1-y]B↓[y]′O↓[4±δ],...
固体氧化物燃料电池阴极材料制造技术
固体氧化物燃料电池阴极材料,它涉及一种阴极材料。本发明解决了现有中温氧化物燃料电池阴极材料性能差的问题,本发明的组成通式为Ln↓[1+x]A↓[1-x]′CuO↓[4±δ],其中Ln为稀土元素,A′为主族碱土金属,0.5<x<1,δ=0...
中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料及电池阴极的制备方法技术
中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料及电池阴极的制备方法,它涉及一种固体氧化物燃料电池复合阴极材料及电池阴极的制备方法。它解决了目前高温燃料电池阴极材料已不适合在中温条件下工作,在电极材料中加入Pt或Pd贵金属生产成本过高以及目前银掺杂的...
晶体管测量仪制造技术
晶体管测量仪,它公开一种识别晶体管各脚极性及各项参数的仪器。它克服了现有的晶体管测量仪器结构复杂、体积大和成本高的缺陷。它由上位计算机1、控制单元2、测量接口电路3和可调压直流电源4组成,1的通信端口通过2的通信端口相连接,2的一个输出...
金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件制造技术
金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件涉及气体传感器工作元件;在硅基底上固装二氧化硅层,真空蒸镀成对平面叉指铝电极均布在二氧化硅层上平面上,金属萘酞菁配合物旋涂膜层整体配置在真空蒸镀成对平面叉指铝电极上方,将其覆盖包容;本元件制备方法简单...
二维磁矢量磁敏器件制造技术
本发明属于磁电转换的半导体器件,在一个硅芯片的相互垂直的两个方向上,对称的布置四只长基区磁敏晶体管.这种器件有两个互相垂直的磁敏感方向,因此,可以检测二维磁矢量.用其做敏感元件的角度和方位角传感器是把角度或方位角等非电量转换成电信号的一...
微电子机械的V型微阀的制作方法技术
微电子机械的V型微阀及制作方法,微型阀的性能对微泵的性能指标有直接影响。本产品包括:正单向阀[1]和与正单向阀反向置放的反单向阀[2],正单向阀和反单向阀全部结构均形成在硅基底上,其中正单向阀[1]包括进水口[3]、进水缝[5]、阀片[...
硅SOI基片上制造检测磁场/压力MOSFET的方法技术
本发明涉及一种在SOI基片上制造可以同时检测磁场和压力的MOSFET工艺方法。尤其是该方法所采用的微电子制造工艺与半导体集成电路工艺相兼容。本发明提供一种采用纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET漏和源的磁场和压力同时检测多功能器件的制造...
一种丙酮气敏材料的应用制造技术
一种丙酮气敏材料及其应用,它涉及一种检测丙酮蒸气的气敏材料及其应用。它解决了现有丙酮气敏材料由于乙醇、正丙醇的存在无法对丙酮气体进行选择性响应,及对丙酮的最低检测限较高的问题。本发明的丙酮气敏材料的通式是A↓[1-x]A’↓[x]B↓[...
Ni(OH)*/Co(OH)*电化学电容器电极材料制造技术
Ni(OH)↓[2]/Co(OH)↓[2]电化学电容器电极材料,它涉及一种电极。本发明由下述重量百分比的成分组成:Ni(OH)↓[2]/Co(OH)↓[2]电极材料60~87%、粘合剂5~12%和导电介质5~35%。本发明利用Ni(OH...
基于韵律结构的语音合成文本处理方法技术
本发明提供了一种能够丰富和改进韵律控制方法、进一步提高汉语语音合成自然度的基于韵律结构的语音合成文本处理方法。它包括以下计算机可实现的步骤:文本规整步骤,用于将输入的文本与预先设置的特殊符号表相比较,输出合法读音字符串;韵律结构分析步骤...
基于韵律特征的语音合成方法技术
本发明提供了一种能够丰富和改进韵律控制方法、进一步提高汉语语音合成自然度的基于韵律特征的语音合成理方法。它包括以下计算机可实现的步骤:文本处理程序,合成基元选取程序和语音合成处理程序,文本处理程序包括文本规整步骤、韵律结构分析步骤和语言...
基于语调模型的汉语语调基频轮廓生成方法技术
本发明提供了一种基于语调模型的汉语语调生成方法。它包括以下计算机可实现的步骤:短语单元的基频轮廓生成步骤,将输入的标注拼音码序列通过短语控制机构生成并输出短语单元的基频轮廓曲线;音节单元的基频轮廓生成步骤,将输入的标注拼音码序列通过音节...
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