本发明提供一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，涉及半导体工艺技术领域，本发明通过将氧化铝层和氧化铪层堆叠构成叠层，作为碳化硅功率器件的栅氧化层，提高了栅极氧化物的耐压能力、降低了栅极的泄漏电流，并且提高了栅极控制能力，氧化铪层的高介电...

本技术提供一种碳化硅冶炼用尾气回收设备。所述碳化硅冶炼用尾气回收设备包括：外壳；进气管，所述进气管设置于所述外壳的左侧，所述外壳的内部设置有活性炭板，所述活性炭板位于所述进气管的右侧，所述外壳的内部设置有净化器，所述净化器位于所述活性炭...

本发明提供一种基于高K介电层的半导体器件加工方法，涉及半导体加工技术领域，包括本发明通过从独立制备良好的高K介电材料上，采用剥离的方式剥离出独立的高K介电层，并将其高效地转移到目标衬底上，摒弃了传统方法中，在已有材料表面采用如化学沉积，...

本公开公开了属于半导体材料技术领域的一种P型‑SiC和N型‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质结功率器件及其制备方法和应用，本发明采用高导热率的P型‑SiC衬底，设计出P型...

本发明提供一种沟槽型SiC肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括肖特基单元、电极金属层和正电荷掺杂区，本发明将沟槽放置于肖特基结处，减少了肖特基二极管正向导通时的沟道距离，可以显著降低肖特基二极管的正向导通电阻，提高正向...

本技术提供一种晶片厚度检测装置，涉及晶片领域。包括检测台，检测台的顶面固定连接有检测架，检测架内壁的左右两侧均固定连接有检测壳，两个检测壳的内部均设置有检测机构，检测机构包括检测触头，检测触头的右端贯穿检测壳的左面至其内部，检测触头的右...

本实用新型提供一种碳化硅长管烧结炉，涉及碳化硅长管领域

本发明提供一种基于

本公开属于半导体材料领域技术领域的一种用于碳化硅衬底表面制备氧化层的方法

本公开属于半导体器件工艺制造技术领域的一种石墨烯作电极夹层的MOSFET器件及其制备方法。所述MOSFET器件结构包括碳化硅衬底、外延层，所述外延层上方内部包裹p型掺杂的P阱区，所述P阱区上方内部置有n型源重掺杂区域。所述MOSFET器...

本实用新型公开了一种半导体加工专用研磨机，涉及半导体技术领域，包括研磨台，所述研磨台内壁的下侧开设有电机腔，所述电机腔的内壁固定连接有研磨电机，所述研磨电机的输出端固定连接有研磨盘，所述研磨台顶面的后侧固定连接有研磨装置，所述研磨台内壁...

本发明提供一种具有结型P+保护的沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及制作方法，包括电极金属层、肖特基单元、沟槽MOS单元和P+型保护环，本发明在沟槽内设置有填充导电多晶硅、氧化物介电层、绝缘多晶硅层构成的三明治结构，保持了沟槽侧壁的MOS结构...