本发明提供一种基于应力光学效应的光移相器结构，光移相器结构包括：波导层结构，波导层结构包括相位调制区；移相元件，设置于波导层结构的相位调制区上；沟槽隔离区，设置于相位调制区的外周缘，用于将相位调制区与沟槽隔离区以外的外围区域隔离，以限制...

本发明提供一种氮化硅膜的制备方法，所述制备方法包括：以四氯化硅为硅源和氮气为氮源，通过低温化学气相沉积方法沉积氮化硅，其化学反应为：SiCl<subgt;4</subgt;+N<subgt;2</subgt;→S...

本发明为一种减小光刻沟槽线宽极限的方法，属于半导体制备领域，克服了现有的光刻机线宽的限制，可替代采用更高精度的光刻机获得沟槽的方法，采用技术方案如下：步骤1，在半导体衬底表面形成下包层；步骤2，在所述下包层表面涂覆光刻胶，采用光刻工艺在...

本发明为一种光波导器件的上包层覆盖工艺，属于光波导器件领域，针对现有制备工艺产生接缝、空隙而影响波导性能的问题，采用技术方案如下：一种光波导器件的上包层覆盖工艺，包括步骤1，在位于衬底上的下包层表面获得光波导芯层；步骤2，在下包层和光波...