一种光波导器件的上包层覆盖工艺制造技术

本发明专利技术为一种光波导器件的上包层覆盖工艺，属于光波导器件领域，针对现有制备工艺产生接缝、空隙而影响波导性能的问题，采用技术方案如下：一种光波导器件的上包层覆盖工艺，包括步骤1，在位于衬底上的下包层表面获得光波导芯层；步骤2，在下包层和光波导芯层表面上沉积上包层，获得预处理件；步骤3，加热预处理件，直至上包层处于熔融状态后，保温10min

【技术实现步骤摘要】
一种光波导器件的上包层覆盖工艺


[0001]本专利技术属于光波导器件领域，特别涉及一种光波导器件的上包层覆盖工艺。

技术介绍

[0002]在集成光芯片的波导结构制备中，对于具有高纵横比的波导芯层结构的器件，上包层覆盖工艺要求完整填充波导芯层之间的间隔，以保证结构完整和性能稳定，但这是目前本领域技术人员面临的挑战，具体原因如下：图1A至图1C展示了现有的在下包层和芯层的非平面的表面上覆盖上包层过程，图1A为现有波导结构的截面示意图，其中101为衬底层，102为下包层，103为波导芯层；图1B为图1A基础上沉积上包层104时的波导结构的截面示意图，由于波导芯层较高的纵横比，以及相邻的两个波导芯层103间较小的距离，沉积上包层104时，位于两波导芯层103之间的沟槽处不同部位沉积速度不同，会出现如非保形沉积或芯层103的遮蔽效应(shadowing effect)等现象；图1C为沉积完上包层材料后的波导结构的截面示意图，可以看出在两波导芯层之间的沟槽口处的上包层提前闭合，从而出现了接缝105和/或空隙106；这种接缝105和/或空隙106的产生将增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光波导器件的上包层覆盖工艺，其特征在于，包括：步骤1，在位于衬底上的下包层表面通过沉积或键合晶圆的方式形成波导芯层薄膜，光刻、刻蚀波导芯层薄膜，以在所述下包层表面获得间隔设置的两个及两个以上光波导芯层；步骤2，在所述下包层和所述光波导芯层表面上沉积可回流的上包层，获得预处理件，此时所述上包层在光波导芯层的间隔处呈收口状；所述上包层采用介电材料，所述介电材料为二氧化硅或氮化硅；步骤3，加热所述预处理件，直至所述上包层处于熔融状态后，保温10min
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12h，使得上包层在光波导芯层的间隔处的形状由收口状变为扩口状，随后降温至室温；步骤4，重复沉积和热处理直至相邻光波导芯层之间填满所述上包层，且最终的上包层厚度达到100纳米至100微米之间。2.根据权利要求1所述的光波导器件的上包层覆盖工艺，其特征在于，所述衬底为半导体衬底，包括单晶硅、多晶硅、无定形硅、二氧化硅或蓝宝石中的一种，厚度为100μm～5mm。3.根据权利要求1所述的光波导器件的上包层覆盖工艺，其特征在于，所述下包层为二氧化硅或氮化硅，厚度为100nm～100μm。4.根据权利要求1所述的光波导器件的上包层覆盖工艺，其特征在于，所述光波导芯层为单层或多层结构，每层结构由硅、氮化硅、氮氧化硅或锗化硅中的一种形成。5.根据权利要求1所述的光波导器件的上包层覆盖工艺，其特征在于，相邻的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志超，刘骏秋，贾海燕，
申请(专利权)人：杭州芯傲光电有限公司，
类型：发明
国别省市：