本申请提供了一种隔离驱动电路，包括：控制单元以及路数与PWM信号输入路数相匹配的驱动单元，PWM信号依次通过控制单元以及对应的驱动单元中的隔离单元、模拟选码开关单元、放大单元以及推挽单元进行处理，得到与PWM信号对应的门极控制信号，控制...

本申请提供三电平装置及均压方法，涉及电力电子技术领域。本方案提供的三电平装置至少包括：检测模块、均压模块，均压模块采用多个有源功率器件，通过检测模块实时检测各电容池组的电压，并根据各电容池组的电压，判断母线电压是否处于均衡状态；若否，则...

本发明公开了一种双脉冲测试系统能量可回收的充放电装置及方法，涉及电子电路技术领域，包括能量回收电路以及控制电路，控制电路控制能量回收电路进行充电或放电；能量回收电路包括储能介质，与储能介质连接的充电回路开关单元；以及与储能介质连接的放电...

本申请公开了一种IGBT驱动器的故障记录方法及IGBT驱动器，IGBT门极采样单元的输入端和故障信号检测模块的输出端与IGBT的栅极连接；IGBT门极采样单元的输出端与数据处理单元的第一输入端连接；数据处理单元的第二输入端与故障信号检测...

本发明提供一种三电平隔离器的寄生电容测量电路，包括：隔离器的输出端通过测量单元与三电平电路中第二功率管连接；三电平电路的正极到负极之间依次设置有第一功率管、第二功率管、第三功率管和第四功率管，三电平电路的母线中点与三电平电路的输出端之间...

本发明提供一种过流保护电路和方法，该电路包括：保护开关与检测单元串联后的两端与测试系统的两端相连；检测单元用于采集测试系统的电信号，并输出至控制单元；控制单元包括：变化率补偿单元、第一比较器和求差器；变化率补偿单元的输入端以及第一比较器...

本发明提供了一种半导体器件的导通阈值电压测试电路及方法，该电路中的恒流源单元和偏置充放电单元的公共端通过开关单元连接半导体器件；恒流源单元用于为半导体器件提供恒流电源；开关单元用于通过自身中开关状态控制恒流源单元和偏置充放电单元的的公共...

本申请公开了一种IGBT器件结温的在线测量方法及系统，将IGBT器件的通态压降简化为P

本申请公开了一种IGBT过流过压保护电路及保护方法，该电路包括：控制单元，电压采集单元，电流采集单元，门极驱动单元，关断单元以及第一IGBT；其中，电压采集单元用于采集第一IGBT的Vce电压，得到采集电压；电流采集单元用于采集与流过第...

本发明提供一种结温检测方法、装置、设备以及计算机可读介质，该方法通过获取半导体器件当前的实际参考点温度和所述半导体器件的各个芯片的实际损耗；针对所述半导体器件的每一个芯片，使用所有所述芯片的实际损耗，对所述芯片的第一热阻抗进行修正，得到...

本申请提出一种温度检测电路及方法，涉及温度检测技术领域，每个测量待测元器件温度的负温度系数NTC热敏电阻的第一端接地，每个NTC热敏电阻的第二端与分压电阻第一端连接，分压电阻的第二端连接电源；每个NTC热敏电阻的第二端与MCU芯片的各个...

本申请提供一种脉冲变压器信号双向传输装置及其保护方法，该保护方法首先判断该脉冲变压器信号双向传输装置是否出现原副边信号传输竞争；若该脉冲变压器信号双向传输装置出现原副边信号传输竞争，则控制该脉冲变压器信号双向传输装置中的副边发送电路停止...

本发明公开了一种电机控制器总成，包括中部具有通腔的散热套，所述散热套的一端封闭，另一端设置有电容器，所述电容器与所述通腔的开口端对位封装适配，以形成能够容纳IGBT组件和控制电路板的装配腔，所述散热套的侧部设置有与所述IGBT组件和控制...

本申请公开了自驱式功率半导体导通压降检测电路，可应用于电力电子技术领域。第一二极管负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻第一端和第一MOS管门极连接；第一电阻第二端与第一电压源和第一MOS管源极连接；第二电阻第一端与第一MOS管漏...

一种导通压降测试电路与结温测试仪，涉及电子电路技术与功率半导体可靠性领域。检测电路的第一端为导通压降测试电路的输入端，检测电路的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端，检测电路的第三端用于连接第二电压跟随电路的第一端，检测电路的第四端为...

本申请公开了一种数据采集设备及方法，用于老化测试，涉及数据采集技术领域，该设备包括：数据采集电路以及数据中心；数据采集电路与数据中心串联，数据采集电路包括多个串联的电路板；数据采集电路采集产品数据，一个电路板采集的产品数据形成一个产品数...

本实用新型公开了一种热测试装置及系统，热测试装置包括：测试风道，测试风道为中空的结构；安装在测试风道内的底部支撑组件，底部支撑组件用于支撑待测试件；高度可调件，高度可调件用于穿过测试风道的底端调节底部支撑组件的高度，实现了对不同高度的待...

本申请公开了一种IGBT关断电压尖峰抑制电路及相关设备，可用于IGBT关断电压尖峰抑制技术领域，该电路包括：信号处理模块，电阻模块，绝缘栅双极型晶体管IGBT以及电压比较模块；信号处理模块、电阻模块、绝缘栅双极型晶体管IGBT以及电压比...

本申请公开了一种计算相位延迟时间的方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：获取半导体器件恢复阻断过程中示波器的第一通道采集的电流信号以及第二通道采集的电压信号；对电流信号或电压信号进行频域分析，得到所述电流信号或所述电压信号的振荡周期，...

本发明公开了一种MOS管组件，其包括：MOS管、散热器、PCBA板和压片，其中，所述压片位于所述MOS管和所述PCBA板之间，并与所述MOS管的上表面相抵，为所述MOS管提供向所述散热器挤压的压力。采用压片将MOS管压装在散热器上，可不...