【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电路保护，更具体的说，尤其涉及一种过流保护电路和方法。
技术介绍
1、相比于硅基功率开关器件si igbt，碳化硅功率开关器件sic mosfet具有更高的开关速度、更低的开关损耗以及更好的耐高温特性等优点。sic mosfet的应用可以显著提升系统的功率密度和效率，降低系统体积。sic mosfet目前在电动汽车等领域得到了越来越广泛的应用。然而，sic mosfet的短路耐受时间（2-3μs）远小于si igbt的短路耐受时间（10-12μs）。此特点对于设计针对sic mosfet的短路测试方法提出了更高的要求和挑战。
2、在sic和硅功率器件（si igbt 和si mosfet）在短路以及双脉冲测试过程中，被测对象的损坏后，会导致测试系统中的大容量母线电容持续对被测对象以及回路提供能量，致使系统中的电流持续升高，可对系统造成二次伤害。因此，测试系统中需要有快速保护开关及其算法，在系统电流异常情况下，2μs内快速切断储能电容与故障系统之间的通路，避免故障电流/能量失控，造成测试系统的其他部件的损坏。p>
3、然而，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：测试系统、保护开关、检测单元和控制单元；
2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述检测单元包括：电感；
3.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述检测单元包括：电流传感器；
4.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，若所述检测单元包括电感，则所述变化率补偿单元包括：第一运算单元；
5.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，若所述检测单元包括电流传感器，则所述变化率补偿单元包括：微分电路和第二运算单元；所述微分电路包括电容和电阻；
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