本实用新型涉及自恢复保险丝技术领域，且公开了一种具有电绝缘功能贴片式自恢复保险丝，包括外壳，所述外壳包括基底层

本实用新型涉及压敏电阻技术领域，且公开了一种耐高温热保护型压敏电阻，包括电阻本体，所述电阻本体的前侧设置有针脚，所述电阻本体包括第一基底层、第一功能层和第二功能层，所述第一功能层包括聚氨酯防水涂料层和丙凝防水防腐材料层，所述第二功能层包...

本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种新型防静电TVS二极管，包括引脚，所述引脚包括基底层、第一功能层和第二功能层，所述第一功能层包括环氧树脂涂层和磷酸盐铅粉涂料层，所述第二功能层包括变性聚粘胶层和OPP薄膜层，所述引脚的外表面设置...

本实用新型涉及防雷设备技术领域，且公开了一种多通道保护的电源浪涌抑制器，包括连接底座、墙体和抑制器本体，所述连接底座的顶部固定安装有连接块，所述连接块内腔的上下两侧均开设有定位槽，所述墙体的顶部开设有连接槽，所述连接块活动连接于连接槽的...

本实用新型涉及电子元件技术领域，且公开了一种压敏电阻用稳定电压保护电路，包括防爆压敏电阻，所述防爆压敏电阻防爆压敏电阻顶部的两侧均设置有接线头，所述接线头的外侧设置有接线盒，所述接线盒的底部与防爆压敏电阻的顶部固定连接，所述接线盒的正面...

本实用新型涉及带保护套的半导体放电管技术领域，公开了一种带保护套的半导体放电管，包括半导体放电管本体和机体防护机构，所述机体防护机构包括防护外壳，所述防护外壳的上下两端贯穿有安装槽，所述防护外壳通过开槽活动连接有伸缩弹簧，所述伸缩弹簧通...

本实用新型涉及场效应晶体管加工技术领域，且公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作加工装置，包括安装箱，所述安装箱内腔的两侧均固定安装有固定板，所述固定板内侧的底部且位于安装箱的内腔设置有调节机构。该金属氧化物半导体场效应晶体管的制...

本发明公开了一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片及制造方法，其特征在于：芯片台面附近区域设计的辅助沟槽结构，当外加最高反向电压时，N型基区耗尽层被限制在基区以内，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅...

本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，其特征在于：包括N+结构层、N‑结构层、P结构层、P+结构层、玻璃保护层、金属面层。所述芯片N+结构层正面设置为N‑结构层，N‑结构层正面设置为P‑结构层，P‑结构层正面设置为P+结...

本实用新型公开了一种节能型整流桥，包括绝缘外壳、管芯、二极管芯片、金属垫板、陶瓷基片、镀镍铝底座、连桥以及与管芯相连接的引出电极，其特征在于：在陶瓷基片上焊接两块金属垫板，二极管芯片焊接在金属垫板上，所述整流桥的管芯、镀镍铝底座、高导热...

本实用新型公开了一种多功能自恢复保险丝，其特征包括封装芯片的基体、基体内设上下两个片状电极，一个合金型温度保险丝、一个防止浪涌电流的电阻。所述的温度保险丝跟电阻分别与上下两个电极相连接，温度保险丝与电阻之间为锡焊点连接，上下片状电极、温...

本实用新型公开了一种静电保护器，它包括内部设有两个相对称的电极，电极间有一定间隙，所述，中间填充高分子的压敏材料，该高分子的压敏材料的阻值随所施加的电压变化而变化。所述，保护器有对称的两个引线端，其中一电极端与保护器件相连接，另一电极端...

本实用新型涉及一种新型半导体放电管，它包括两个相对称的电极，一半导体芯片，所述，在二个电极的内置端分别设有一个凸台，半导体芯片放置在二个凸台之间，所述，电极由成型的Cu金属构件构成，整体结构由软焊料焊成一体，并通过模塑封装，仅露出两个电...

本实用新型公开了一种快速恢复二极管芯片结构，包括采用外延片结构，将单晶片生长一层N型层，同时使阳极面增加一个高浓度的均匀的P+结构层。所述，结构由N结构层、N+结构层、N‑结构层、P结构层、P+结构层、阴极、阳极、氧化层、钝化层组成。与...