本发明所提供的是一种振荡器，其中用薄膜微带（ＴＦＭＳ）线路把谐振器单元和振荡器单元彼此耦接起来，以增加线路阻抗，从而改善相位噪声特征。该振荡器包括：谐振器单元，在可变的频率中的特征频率波段谐振；振荡器单元，利用谐振频率产生振动频率；耦接...

一种用于锂二次电池的复合聚合物电解液，其包括：　　　　复合薄膜结构，该复合薄膜结构包括具有微观形态的第一多孔聚合物薄膜，及涂覆在第一多孔聚合物薄膜表面上的具有亚微观形态的第二聚合物薄膜；以及　　　　浸渍于复合薄膜结构中的电解质溶液。

一种用于锂二次电池的复合聚合物电解质，包括：　　　　由具有第一孔径（ｐｏｒｅ　　ｓｉｚｅ）的第一多孔聚合物制成的第一聚合物基质；　　　　涂覆在第一聚合物基质上并由单离子导体、无机物质制成的第二聚合物基质，所述第二聚合物基质具有比第一孔径...

本发明提供一种染料敏化太阳能电池的垒高型模块。染料敏化太阳能电池的该垒高型模块具有几个单元电池块，这些单元电池块连接为一个单元电池块的凸部插入另一单元电池块的凹部并且相互电连接。该单元电池块包括相互对置的两个透明第一基板；与第一基板交错...

本发明公开了一种用于金属锂聚合物二次电池的阳极及其制备方法，该阳极包括阳极集电体，在阳极集电体表面形成有多个具有预定形状的凹进部分。多个凹进部分可通过物理或化学方法形成于阳极集电体表面上。在采用这种阳极的金属锂聚合物二次电池中，锂的氧化...

提供一种全固态一次膜电池及其制造方法。该全固态一次膜电池包括：包括第一聚合物膜和第一导电层的第一聚合物集电体膜；在第一导电层上形成的第一电极层；包括第二聚合物膜和第二导电层的第二聚合物集电体膜；在第二导电层上形成的第二电极层；包括水基电...

本发明提供了一种具有能够延迟或防止电池爆炸的放电单元的二次锂电池。二次锂电池包括并联设置在电池主体的放电单元。放电单元包括连接到电池主体的正极的第一电极、连接到电池主体的负极的第二电极、以及放电材料薄膜，其设置在第一电极和第二电极之间，...

本发明提供一种染料敏化的太阳能电池，其中在半导体电极的半导体氧化物层和导电基底的暴露表面上形成有绝缘层，以及一种制备染料敏化的太阳能电池的方法。染料敏化的太阳能电池包括彼此相向布置的半导体电极和反电极，以及置于所述电极之间的电解质溶液。...

提供一种包含亲水性微粒的水性电解质组合物和包括由该水性电解质组合物形成的电解质层的密封型一次膜电池。在该密封型一次膜电池中，隔膜置于正极和负极之间并且具有多个通孔。置于正极和负极之间的不可流动的电解质层包括平行于正极和负极延伸的第一电解...

提供一种用于膜电池的多层聚合物包装件及组合包装件和集电体。用于膜电池的聚合物包装件及组合包装件和集电体包括具有至少三层结构的多层聚合物膜，其包括第一聚合物膜、第二聚合物膜和第三聚合物膜，该第一、第二和第三聚合物膜由不同材料制成。第一聚合...

一种场效应晶体管，其包括：绝缘体－半导体转换材料层，其选择性地提供第一状态和第二状态，在第一状态中，当不施与栅场时，带电空穴不被引入到绝缘体－半导体转换材料层的表面；在第二状态中，当施与负栅场时，大量的带电空穴被引入到绝缘体－半导体 ...

提供一种具有并联导电层的突变ＭＩＴ（金属－绝缘体转变）装置。所述突变ＭＩＴ装置包括设置于衬底特定区域的第一电极、设置于与所述第一电极分开预定距离的第二电极，和至少一个导电层，其电连接所述第一电极和所述第二电极，并且具有允许所述导电层的整...

本发明公开了一种制造具有浅结的集成电路的方法。包含杂质的ＳＯＧ层形成在半导体衬底上。杂质离子通过等离子体离子注入法额外地注入到ＳＯＧ层内，以增加ＳＯＧ层内的杂质浓度。通过固相扩散法，包含在具有增加的杂质浓度的ＳＯＧ层内的杂质离子被快速热...

本发明提供了一种制造具有浅源极／漏极结区的ＭＯＳ晶体管的方法。扩散源层形成在其上形成有栅极构图的半导体衬底上。在不同方向上多次将相同类型的或不同类型的杂质注入到扩散源层内。结果，不发生位错，且扩散源层的杂质浓度可得以非均匀控制，使得对半...

本发明提供了一种在双平面搀杂外延生长衬底上形成的、并可用单一电源电压工作的假同晶高电子迁移率晶体管（ＰＨＥＭＴ）功率器件，及其制造方法。该ＰＨＥＭＴ功率器件包括：一外延生长的衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘ＧａＡｓ衬底上的一ＧａＡｓ缓冲...

一种干光刻法，包括如下步骤：　　　　制备硅图案转移目的物；　　　　将该图案转移目的物的需要部分在电子束下曝光；并且　　　　实施活性离子蚀刻工艺，以便选择性蚀刻未曝光部分，从而留下图案转移目的物上的曝光部分。

一种高速光电组件的小座，它包括：　　　　一个不导电材料体；　　　　一条接地线，一条信号线和一条偏压线；这些线堆叠在该不导电材料体的一突出部分的上表面上，并且沿着该不导电材料体的壁面垂直延伸；　　　　埋入该不导电材料体中的一个接地平面；和...

一种半导体器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　源极电极和漏极电极，其形成于半导体衬底上，与半导体衬底形成欧姆接触；　　　　Ｔ形栅极电极，其形成于半导体衬底上源极电极和漏极电极之间；以及　　　　包括二氧化硅气凝胶层的绝缘层，该二氧化硅...

一种肖特基势垒晶体管，包括：　　　　形成在衬底上的栅极，具有该栅极和该衬底之间的栅极绝缘层；　　　　形成在该栅极的侧壁上使得该栅极的上边缘暴露出来的隔离壁；　　　　形成在该衬底上邻近该栅极的抬高的硅化物源极／漏极；以及　　　　形成在该隔...

一种包括突然金属－绝缘体相变器件的电流跳变控制电路，包括电源、突然金属－绝缘体相变器件、以及电阻元件。该突然金属－绝缘体相变器件包括与该电源连接的第一和第二电极，并当在该第一电极与第二电极之间施加电场时显示出电流跳变的突然金属－绝缘体相...