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国际商业机器公司专利技术
国际商业机器公司共有17139项专利
黑盒机器学习模型的新特征制造技术
公开了一种用于使得包括使用第一输入值为第一设置构建的变换模型的变换系统能够合并存在于第二设置中的第二特征值的方法。该方法包括提供包括第二特征值以及预期第二结果的训练输入数据,提供包括机器学习模型的特征映射器,其中特征映射器的输出信号被用...
提供动态随机存取存储器高速缓存作为每个应用进程的第二类型存储器制造技术
可以在计算系统中识别第一类型存储器和第二类型存储器。第二类型存储器比第一类型存储器慢,但是与第一类型存储器相比具有更大的存储容量。可以识别正在计算系统中执行的应用进程。第一类型存储器的一区域可以被提供作为用于应用进程的第二类型存储器的高...
基于可变虚拟围栏的控制器设备制造技术
一种用于管理辅助设备相对于控制器设备的虚拟围栏的方法,包括激活与第一对象相关联的控制器设备和与第二对象相关联的辅助设备。该方法包括为控制器设备和辅助设备建立虚拟围栏,其中第一虚拟围栏围绕辅助设备并且控制器设备位于第一虚拟围栏内。该方法包...
动态电信网络代理过滤制造技术
提供了一种用于实现动态电信网络代理过滤的系统、方法和计算机程序产品。该方法包括检索与用户设备(UE)相关联的外围数据,该用户设备(UE)关于与电信网络硬件设备相关联的电信网络而启用。将外围数据与预定义的过滤器选择模型进行映射,并且选择过...
人工智能模型学习自省制造技术
提供了关于AI模型自省的技术。例如,在本文描述的一个或多个实施例可以包括一种系统,该系统可以包括存储器,该存储器可以存储计算机可执行组件。该系统还可以包括处理器,该处理器可操作地耦合到存储器,并且可以执行存储在存储器中的计算机可执行组件...
图案化节距线的结构和方法技术
一种半导体制造方法,其包括形成多个第一芯轴作为多层硬掩模的顶层,及在多个第一芯轴中的每个周围形成第一间隔物。去除多个第一芯轴并切割第一间隔物以形成多个第二芯轴。在多个第二芯轴中的每个周围形成第二间隔物,且形成包含多个第三芯轴的第一自对准...
电源轨下的源极/漏极触点定位制造技术
一种用于减少触点到触点短路的半导体结构和制造方法被披露。该半导体结构包括具有衬垫和电介质芯的栅极切割区域,该电介质芯被限制在该衬垫的第一侧面(136)和该衬垫的第二侧面(138)内。该半导体结构还包括与第一侧面(136)和电介质芯重叠的...
使用联合级流入模型的过程优化制造技术
一个或多个系统、计算机实施的方法和/或计算机程序产品,以促进用于监测的过程和/或促进对制造过程的修改。系统可以包括存储计算机可执行组件的存储器和执行存储在存储器中的计算机可执行组件的处理器。计算机可执行组件可以包括:初始化部件,其将流向...
用于集成电路芯片的前侧和后侧供电布线制造技术
半导体芯片包括一个或多个底部外部(电源或接地)连接、前侧电力网络层、器件层、以及研磨侧电力网络层。器件层具有多个器件。一个或多个器件具有一个或多个器件电力连接和一个或多个器件接地连接,并且器件层具有前侧和后研磨侧。前侧电力网络层具有电力...
替代金属栅极之后埋入式电源轨制造技术
本文中的实施例包括具有连接到第一场效应晶体管(FET)区域的第一源极/漏极(S/D)、连接到第二FET区域的第二S/D和埋入式电源轨(BPR)区域的半导体结构。BPR区域可以包括BPR、内衬在BPR区域的第一横向侧的第一电介质衬垫和内衬...
经由程序简化的训练数据增强制造技术
提供了关于增强用于训练一个或多个AI模型的一个或多个训练数据集的技术。例如,本文描述的一个或多个实施例可以包括一种系统,该系统可以包括可以存储计算机可执行组件的存储器。该系统还可以包括处理器,该处理器可操作地耦合到存储器,并且可以执行存...
达林顿对双极结型晶体管传感器制造技术
公开了达林顿对传感器。达林顿对传感器具有放大/水平双极结型晶体管(BJT)和传感/垂直BJT,可用作生物传感器。放大双极结型晶体管(BJT)水平设置在衬底上。放大BJT具有水平发射极(652)、水平基极(550)、水平集电极(654)和...
基于预测损害的启发式确定来管理制造过程制造技术
一种用于启发式确定过程中损害类控制以管理期望输出产品类别的方法、系统和计算机程序产品。启发式技术确定预测损害和它们的范围,同时保持初始预期缺陷、缺陷和减轻的相应类和范围。该方法在处于总体约束内的同时动态地计算损害减轻操作范围,并且以在边...
具有改进的密封性能的注射成型的焊料头部制造技术
提供一种用于将焊料材料注入位于晶片的顶表面中的通孔中的装置。该装置包括具有用于接触晶片的顶表面的接触表面的注射头部,以及用于通过注射头部将焊料材料注入到通孔中的至少一个孔。该装置还包括连接到注射头部的用于从通孔排出气体的排气设备。注射头...
具有减小的寄生电容和电阻的场效应晶体管制造技术
一种场效应晶体管,包括:邻近于源极/漏极区形成的栅极结构;以及在栅极结构与源极/漏极区之间形成的间隔物结构。该间隔物结构包括顶部间隔物和底部间隔物,该顶部间隔物包括具有比顶部部分更宽的底部部分的气隙。气隙的较宽底部部分位于栅极结构与源极...
反应性语音设备管理制造技术
由第一连接设备接收针对环境中的一个或多个语音控制设备的集合的一个或多个用户交互。基于用户交互来检测到语音控制设备的集合中的第一语音控制设备的第一输入。响应于第一输入并基于活动模型来确定对语音控制设备的集合的潜在第二输入。响应于第一输入和...
优化即时编译过程制造技术
提供了一种用于优化即时(JIT)编译过程的方法。容器编排执行环境中的源pod被确定为饱和的。收集来自JIT编译器的配置文件数据、虚拟机状态和本地编译代码状态。配置文件数据、虚拟机状态和本地编译代码状态被存储在持久数据存储库中的数据结构中...
2D网格路由内的隐式向量串接制造技术
提供了神经核阵列。每个神经核包括有序输入线、有序输出线以及突触,突触中的每个突触可操作地耦合到输入线中的一个输入线和输出线中的一个输出线。提供了多个信号线。信号线中的至少一个信号线沿着神经核阵列的每个维度布置。提供了多个路由器,多个路由...
具有改进的热绝缘的柱底部电极的相变存储器单元制造技术
一种相变存储器设备,包括:底部电极;直接接触所述底部电极的顶表面的交替的电导体层的堆叠;直接接触所述堆叠的顶表面的金属柱;直接接触所述金属柱的顶表面的相变材料元件;以及所述相变材料元件上的顶部电极,其中所述金属柱的横向尺寸小于所述堆叠的...
处理事务请求制造技术
本发明的实施例提供了用于基于过去执行类似事务所需的服务器资源的历史记录和事务服务器的当前容量来处理到事务服务器的传入的事务请求的概念。传入的事务请求可以被分类为重量级事务或轻量级事务,并且对事务请求的处理可以基于所述分类。
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