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国际商业机器公司专利技术
国际商业机器公司共有17139项专利
边缘应用部署和处理制造技术
提供了网络中的边缘应用部署。该网络包括具有边缘计算基础设施的多个边缘站点。执行边缘应用部署,包括在所述多个边缘站点的第一组边缘站点的每个边缘站点处部署所述边缘应用的伪应用实例(pApp),以及在所述多个边缘站点的第二组一个或多个边缘站点...
使用修剪和置换的打包机学习模型制造技术
示例性系统包括用于基于神经元或权重的重要性来修剪机器学习模型的处理器。处理器进一步用于置换和打包经修剪的机器学习模型的剩余神经元或权重,以减少在选择的约束下的密文计算量。
具有包含转化活性材料和嵌入活性材料的混合正极的可充电电池制造技术
本发明公开了可充电电池。所述可充电电池包括负极、包含锂离子嵌入宿主的正极、以及包含溶剂和充当活性正极转化材料的含卤素化合物的电解液,其中所述电解液与所述负极和所述正极接触。
用于机密内容的会议的自动处理制造技术
本公开涉及用于机密内容的会议的自动处理。提供了一种用于处理数字内容的方法、计算机系统和计算机程序产品。本发明可以包括构建敏感语句分类模型。本发明可以包括接收数字内容,其中数字内容旨在用于一个或多个内容消费者组。本发明可以包括使用敏感语句...
在可信执行环境(TEE)中证实逻辑加载器代码和完整性检查服务逻辑代码制造技术
根据一个实施例的计算机实现的方法包括:在可信执行环境(TEE)中执行逻辑加载器的代码的证明,以及接收对逻辑加载器将服务逻辑代码加载到TEE的请求。执行与该请求相关联的服务逻辑代码的完整性检查。响应于与请求相关联的服务逻辑代码通过完整性检...
多轴磁场向量生成制造技术
公开了一种方法、系统和计算机程序产品。该方法包括获得偶极线(DL)磁体的配置和选择要产生的磁场向量。该方法还包括基于该配置来确定用于生成磁场向量的DL磁体的取向。
接触面积增大的自对准的背侧接触部制造技术
第一源极漏极区(254)和第二源极漏极区(254),连接到第一源极漏极区的上部源极漏极接触部(266),连接到第二源极漏极区的底部源极漏极接触部(282),电介质间隔件(280)围绕底部源极漏极接触部的相对的垂直侧表面并且与底部隔离区的...
用于背侧信号线集成的自对准背侧栅极触点制造技术
一种半导体阵列结构包括:衬底;多个场效应晶体管FET,其被布置成行并且位于所述衬底上,每个FET包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区、联接所述源极‑漏极区的至少一个通道、以及与所述至少一个通道相邻的栅极。多个前侧信号线在所述FET的前...
计算机硬件模块的热管理制造技术
本公开的方面包括用于可插拔硬件模块的热管理的结构、光收发器和冷却可插拔硬件模块的方法。所述结构的一个实施例可以包括适于接收硬件模块的插槽组件。插槽组件可以包括包含热界面材料(TIM)的集成流体储存器。插槽组件还可以适于在硬件模块插入到插...
使用自主机器人挖泥机进行地貌沟道化制造技术
一种用于使用自主机器人挖泥机进行动态地貌沟道化的计算机实现方法。该方法导出一个或多个地貌度量,其中一个或多个地貌度量包括土壤度量、环境条件和植被水消耗度量。该方法进一步基于所导出的一个或多个地貌度量生成建议的沟槽和脊度量的数字孪生,其中...
优化机器人设备性能制造技术
一种用于优化机器人设备性能的计算机实现的方法,包括:由处理器接收与一个或多个机器人设备(110)和环境(102)相关联的环境数据(104),其中,一个或多个机器人设备(110)被配置为在环境(102)中执行一个或多个活动;分析环境数据(...
用于控制量子比特之间的交互的多模耦合器制造技术
一种设备包括第一量子比特和第二量子比特,以及耦合在第一量子比特和第二量子比特之间的量子比特耦合器。第二量子比特包括第一模式和第二模式,其中第一模式被配置为存储数据。量子比特耦合器包括第一模式和第二模式,并且在第一状态或第二状态下操作。在...
包括多个振荡器的网络制造技术
一种网络包括多个振荡器。所述网络被配置为通过经由热链路的热耦合来控制所述多个振荡器的相位。
实现真值表的交叉式阵列制造技术
提供了一种用于准备神经网络的经训练的交叉式阵列的方法。该方法包括将预定真值表的输入部分馈送到交叉式阵列的计算机仿真中,以及基于仿真权重为真值表的输入部分生成模拟输出值。该方法还包括从真值表的输出部分的模拟输出值和期望值中的每一个计算损耗...
具有增大接触面积的自对准背面接触制造技术
与第一晶体管相邻的第一源漏区、与第二晶体管相邻的第二源漏区、在第一源漏区上方的上源漏接触、在第二源漏区下方的底部源漏接触,底部源漏接触和上源漏接触在相对两侧上,底部源漏接触的水平表面与围绕第二源漏区的介电侧间隔体的水平表面相邻。在实施例...
使用多孔碳的用于碳捕获的电压摆动方法技术
提供了一种通过电压摆动进行碳捕获的方法和系统。该方法可以包括通过物理吸附,即通过向吸附剂施加正电荷来增加吸附剂的选择性和吸附,从气体混合物中捕获二氧化碳,并通过从吸附剂中移除正电荷并向吸附剂施加解吸方法从吸附剂中释放二氧化碳。
解决扩展现实设备中的虚拟对象的可见性差异制造技术
提供了用于解决扩展现实设备中的虚拟对象的可见性差异的实施例。该实施例可以包括在扩展现实会议期间从一个或多个用户接收一个或多个虚拟对象以及用于每个虚拟对象的设定。该实施例还可以包括识别每个虚拟对象的所有者。该实施例还可以包括识别所引用的虚...
电子结构和制造电子结构的方法技术
一种电子结构包括第一衬底,该第一衬底具有形成在其上的第一凸点下金属化层(UBM)区域和第二UBM区域。在第一UBM区域上沉积一个或多个焊料凸点。在第二UBM区域上形成的下止部比在第一UBM区域上形成的任一个焊料凸点更宽、更浅并且更具刚性...
存储系统中的完全分配卷到去重卷迁移技术方案
一种用于存储系统中的完全分配卷到去重卷迁移的方法、计算机程序产品和计算机系统。该方法包括将与完全分配卷相关联的存储的数据的物理分配移动到去重域中的虚拟地址范围中,并且将去重元数据建立为传递。该方法然后当虚拟地址范围被物理分配填充后,对虚...
具有重叠连接的模块化量子芯片设计制造技术
一种量子计算(QC)芯片模块,包括具有封装的中介层芯片。量子位芯片凸点键合到中介层芯片并且被布置成使得量子位芯片延伸超过中介层芯片的封装。中介层芯片延伸超过量子位芯片的边缘。线束连接到中介层芯片。
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