本发明公开了一种半导体激光器芯片及降低半导体激光器腔面表面态的方法。该方法包括：将半导体激光器外延片靠近第一表面的一部分氧化形成氧化层，其中，第一表面为靠近p型接触层的一侧表面；在空气环境中，沿氧化层将半导体激光器外延片进行解理形成Ba...

本发明公开了一种晶圆的隐形切割方法及其应用。所述隐形切割方法包括：覆设保护胶层；进行激光预切割，形成预切割槽体，预切割槽体贯穿保护胶层以及金属层和/或介质层；采用腐蚀液去除预切割槽体中的残留；采用抛光液对预切割槽体底部暴露的硅衬底进行化...

本申请公开了一种GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法。该激光器包括第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二光学限制层、接触层、绝缘介质层，该接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成脊型结构；该绝缘介质层至...

本申请公开了一种提高氮化镓基激光器管芯焊接强度的结构及方法。所述的方法包括：提供氮化镓基激光器的外延结构：在导电衬底的第二面即激光器的N侧面上加工形成一个以上沟槽，第二面与第一面相背设置，之后在导电衬底的第二面上形成N型电极，然后通过导...

本申请公开了一种适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。所述氮化镓基激光器管芯结构包括外延结构；该外延结构包括第一、第二欧姆接触电极接触层，第一、第二光学限制层，第一、第二波导层、有源区等；并且该外延结构还包括台阶结构、脊型结...

本申请公开了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。该激光器管芯结构包括依次层叠的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波...

本申请公开了一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法。所述的方法包括：对氮化镓激光器的外延结构进行加工，以将其中的接触层、第二光学限制层和第二波导层部分去除，从而形成脊型结构；在第二波导层表面位于所述脊型结构周围的至少部分区域上...

本申请公开了一种氮化镓基激光器封装结构，包括底座、盖体和引脚，所述底座的底端与盖体连接，所述盖体与引脚连接；所述底座的一侧面用于与氮化镓基激光器芯片固定连接，同时所述底座的一侧面的顶部形成有台阶结构，所述台阶结构具有第一台阶面和第二台阶...

本申请公开了一种UVB‑LED外延结构及其制备方法。所述外延结构包括沿指定方向依次生长的AlN层、应力调控层、N型AlGaN欧姆接触层、多量子阱有源区、P型电子阻挡层、P型空穴注入层和P型欧姆接触层。所述应力调控层由不同Al含量、不同厚...

本申请公开了一种半导体激光器结构及其制备方法。该半导体激光器结构包括依次设置的n型光学限制层、n型下光学波导层、多量子阱有源区、p型上光学波导层、p型电子阻挡层和p型光学限制层；该p型光学限制层具有超晶格结构，其中的一个超晶格周期包括层...

本发明公开一种半导体封装结构及发光装置，其中，半导体封装结构包括基座、紫外发光芯片和含氟透光层；基座设有凹槽；紫外发光芯片设于凹槽的底部；含氟透光层位于凹槽内；含氟透光层覆盖于紫外发光芯片上。本发明的技术方案通过在凹槽内设置覆盖于紫外发...

本发明公开一种半导体封装结构及发光装置，其中，半导体封装结构包括基座、紫外发光芯片和含氟透光层；基座设有凹槽；紫外发光芯片设于凹槽的底部；含氟透光层位于凹槽内；含氟透光层覆盖于紫外发光芯片上。本发明的技术方案通过在凹槽内设置覆盖于紫外发...

本发明公开了一种可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法。所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电...

本发明公开了一种旋转导电装置，用于在转动部件和静止部件之间传输电能；旋转导电装置包括旋转部以及固定部。旋转部与转动部件连接，旋转部上设有第一导通结构和第一滚珠结构，转动部件通过第一导通结构与第一滚珠结构连接。固定部与静止部件连接，旋转部...

本发明公开了一种III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用。所述III族氮化物二极管器件包括：III族氮化物异质结，所述III族氮化物异质结中形成有二维电子气；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述二维电子气电性连接；所述I...

本发明公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明实施例提供的一种大面积G...

本实用新型公开了一种准分子灯，其包括：两个放电单元，每一放电单元包括一灯壳，每一灯壳内部均具有放电空间，所述放电空间内封入有能够产生准分子放电的气体，且每一灯壳的至少局部区域可透射准分子发射的紫外光；第一电极和第二电极，均位于所述放电单...

本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一...

本实用新型公开了一种可变焦距固化装置，该可变焦距固化装置包括：透镜模组，透镜模组至少具有第一折射介质和第二折射介质，第一折射介质与第二折射介质相互贴合或间隔设置，第一折射介质可相对第二折射介质移动，且第一折射介质的折射率与第二折射介质的...

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体公开一种穿引装置及引线键合仪，穿引装置包括筒架，筒架包括用于与劈刀内部相连通的通道，通道连接有用于在劈刀内部中形成牵引气流的气流发生器，牵引气流的流动方向为自劈刀向通道的方向。通过筒架与气流发生器相...