Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明专利技术实施例提供的一种大面积Ga2O3器件的制备方法得到的器件尺寸可控、位置可控，且可以阵列化制备；以及，本发明专利技术实施例提供的Ga2O3薄膜材料可以用于制作柔性的电子器件或光电器件，本发明专利技术实施例提供的一种大面积Ga2O3柔性器件的制备方法，降低了Ga2O3柔性器件制备的复杂度，提高了Ga2O3柔性器件的可控性和良品率。器件的可控性和良品率。器件的可控性和良品率。

【技术实现步骤摘要】
Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法


[0001]本专利技术特别涉及一种大面积Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法，属于柔性电子学、超宽近代半导体材料与器件


技术介绍

[0002]随着科技发展，先进的电子技术的研究应用和发展极大丰富了生产、生活的各个领域。其中柔性电子学是最令人激动和最有前景的新兴信息技术之一，而受到了学术界和工业界的广泛关注。与传统的刚性器件相比，柔性电子器件主要研究在柔性衬底上制备的各种电子器件，在结构和功能上相同或者相似；由于具有质地柔软可弯曲、质量轻、耐冲击等优点，它在军用、民用、医疗、商用等场景具有巨大的应用潜力。
[0003]氧化镓(Ga2O3)作为最近兴起的新型超宽禁带半导体材料在半导体领域备受瞩目。Ga2O3有α、β、γ、δ、ε等多种同分异构体，其中单斜结构β
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Ga2O3是热力学最稳定的相，在室温下禁带宽度～4.9eV，其吸收峰处于日盲紫外波段，而成为半导体深紫外光探测领域的首选材料。在可见光波段，氧化镓又表现为透明材料，非常适合于制作透明导电材料。Ga2O3具有比其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大面积Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述AlN层的厚度在1nm以上；和/或，所述AlN层具有多孔结构，所述多孔结构包括分布于AlN层表面和/或内部的多个纳米孔；或者，所述AlN层包括AlN纳米线阵列；优选的，所述AlN层的占空比为1％
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99％；优选的，所述纳米孔的孔径为1nm
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1000nm，深度为1nm
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10μm；优选的，所述纳米线的直径为1nm
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1000nm，高度为1nm
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10μm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：至少利用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延法在第一衬底表面生长形成所述AlN层。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于具体包括：将第一衬底置于生长腔室内，将生长腔室的温度调节至500℃
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1500℃、压力调节至1Pa
‑1×
105Pa，向所述生长腔室内输入氮源和铝源，所述氮源、铝源的输入流量为1sccm
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100slm，从而在第一衬底的表面生长形成AlN层。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：至少利用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延法直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜；优选的，所述Ga2O3薄膜主要由ε氧化镓组成。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于具体包括：将载有AlN层的第一衬底置于生长腔室内，将生长腔室的温度调节至400℃
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1000℃、压力调节至1Pa
‑1×
105Pa，向所述生长腔室内输入镓源和氧源，所述镓源和氧源的输入流量为1sccm
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100slm，从而在AlN层表面生长形成Ga2O3薄膜。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：将第一衬底置于生长腔室内，并在所述第一衬底的表面生长形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓东，何涛，赵德胜，张宝顺，
申请(专利权)人：广东中科半导体微纳制造技术研究院，
类型：发明
国别省市：