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本发明公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明实施例提供的一种大面积Ga2...
该专利属于广东中科半导体微纳制造技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东中科半导体微纳制造技术研究院授权不得商用。

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