【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体激光器，具体涉及一种氮化镓基激光器封装结构，属于半导体。
技术介绍
1、氮化镓(gan)基材料包括氮化镓、氮化铝、氮化铟以及其三元固溶体(algan、ingan、inaln)和四元固溶体(alingan)材料等，其带隙宽度在0.64ev到6.2ev之间连续可调，覆盖了近紫外到红外的波段。氮化镓基材料发光效率高，化学性质稳定，非常适合用来制备光电器件，特别是gan基激光器。氮化镓基激光器根据其发光波长的不同分别在高密度光信息存储、激光显示、激光照明、激光印刷及通信等领域具有广阔应用前景。多数应用场景下，高功率的氮化镓基激光器更加具有优势，但氮化镓基激光器电光转换效率偏低，其在工作过程会产生大量热量而使激光器结温升高，激光器输出光功率降低，可靠性变差。现有的大功率氮化镓基激光器一般采用to9封装结构，其主要由半圆柱形镀金无氧铜底座、可阀金属盖体以及金属引脚等组成。激光器产生的热量主要通过向下和两侧传播到底座，再从底座导向盖体。通常为了防止激光器发射的光束受阻，封装时激光器前腔面通常与底座表面齐平，此时激光器前腔面附近散热...
【技术保护点】
1.一种氮化镓基激光器封装结构，包括底座(1)、盖体(2)和引脚(3)，所述底座(1)的底端与盖体(2)连接，所述盖体(2)与引脚(3)连接；其特征在于：所述底座(1)的一侧面用于与氮化镓基激光器芯片固定连接，同时所述底座(1)的一侧面的顶部形成有台阶结构，所述台阶结构具有第一台阶面(11)和第二台阶面(12)，所述第一台阶面(11)高于第二台阶面(12)，所述第一台阶面(11)为所述底座的顶端面，并且所述第一台阶面(11)与所述氮化镓基激光器芯片的出光面平齐。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器封装结构，其特征在于：在垂直于所述底座(1)的一侧面的方...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基激光器封装结构，包括底座(1)、盖体(2)和引脚(3)，所述底座(1)的底端与盖体(2)连接，所述盖体(2)与引脚(3)连接；其特征在于：所述底座(1)的一侧面用于与氮化镓基激光器芯片固定连接，同时所述底座(1)的一侧面的顶部形成有台阶结构，所述台阶结构具有第一台阶面(11)和第二台阶面(12)，所述第一台阶面(11)高于第二台阶面(12)，所述第一台阶面(11)为所述底座的顶端面，并且所述第一台阶面(11)与所述氮化镓基激光器芯片的出光面平齐。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器封装结构，其特征在于：在垂直于所述底座(1)的一侧面的方向上，所述第二台阶面的宽度为0.30±0.05mm；和/或，所述台阶结构的台阶高度为0.40±0.05mm。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基激光器封装结构，其特征在于：所述底座(1)为半圆柱形底座，且所述底座(1)用于固定氮化镓基激光器芯片的一侧面为平面。
4.根据权利要求3所述的氮化镓基激光器封装结构，其特征在于：所述底座(1)包括无氧铜基体以及依次覆盖于所述无氧铜基体表面的镍层合金层。
5.根据权利要求4所述的氮化镓基激光器封装结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建平，徐鹏，杨辉，
申请(专利权)人：广东中科半导体微纳制造技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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