本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种肖特基二极管，包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层；所述导通金属层之间设有缓冲层；缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层；GaN层的上端连接有肖特基金属层；衬底下端连接有电极金属层。本实...

本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种SiC肖特基二极管，包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽、间隔设于N型SiC层上表面的肖特基金属层、设于肖特基金属层间隙的绝缘层、覆盖于肖特基金属层与绝缘层上表面的阳极金属层、N型SiC...

本实用新型涉及晶体管技术领域，具体涉及一种新型晶体管，包括芯片、与芯片连接的引脚，所述引脚包括缓冲部及接线部，所述芯片的外侧包覆有壳体，所述缓冲部的外侧包覆有一层粘胶层，所述粘胶层与壳体相粘接，本实用新型通过将引脚设置为缓冲部、接线部，...

本实用新型涉及晶体管技术领域，具体涉及一种引脚改良晶体管，包括芯片、与芯片连接的引脚，所述引脚包括缓冲部、连接部及接线部，缓冲部与接线部平行，连接部的一端与缓冲部连接，连接部的另一端与接线部连接；所述芯片的外侧包覆有第一壳体，所述缓冲部...

本实用新型涉及晶体管测试技术领域，具体涉及一种多功能晶体管测试治具，包括主板、活动连接于主板上端的夹紧部、活动连接于主板上端的电极部，所述电极部位于夹紧部的一侧，所述夹紧部包括两块夹紧板及安装于夹紧板一侧的多个压力感应器，本实用新型通过...

本实用新型公开了一种带有防护罩体结构的二极管，所述上盖体和下盖体的两侧边均开设有半圆形的二极管导线插口，所述上盖体和下盖体的内腔中部均垂直装设有两块隔板，所述放置槽的内部填充有防击穿物料，所述密封槽的内部填充有防水物料，所述上盖体和下盖...

本实用新型公开了一种带有检测装置的集成电路板，所述承压平台的上表面竖向插设有检测杆，所述检测杆的下端外侧装设有第一电触块，所述承压平台的内部还竖向插接有立杆，所述立杆的顶端和中部分别装设有第二电触块和第三电触块，所述第一电触块、第二电触...

本实用新型公开了一种性能安全可靠的场效应管，所述衬底基片的内侧表面紧密贴覆有陶瓷片，所述陶瓷片的外表面紧密贴覆有铝制散热片，所述铝制散热片、陶瓷片、衬底基片的边缘均贯穿开设有位置对应的通孔，且内部插设有外端部旋紧的限位螺栓，所述衬底基片...

本实用新型公开了一种结构稳固的双向可控硅元件，所述上侧夹板和下侧夹板的内表面分别开设有上嵌装槽和下嵌装槽，所述下嵌装槽的槽口内侧装设有限位组件，所述限位组件包括衬设于下嵌装槽的内侧面的PVC垫层，所述PVC垫层的下端连接有伸缩式的支撑杆...

本实用新型公开了一种带有安全稳定结构的可控硅元件，所述基座结构的下部箱体内腔中部通过支架悬空架设有小型的鼓气风扇，所述基座结构的下部箱体内腔两侧壁面均开设有出气孔洞，所述基座结构的内腔顶板还装设有散热片，所述基座结构的下部箱体内腔底板中...

本实用新型公开了一种带有高效降温结构的IGBT功率管，所述IGBT功率管的两侧表面下部均开设有卡接槽，所述插接槽的两侧壁下部均内嵌装设有卡接件，所述安装基座的上表面还涂覆有感温变色涂料，所述安装基座的内部开设有冷却水通道，所述散热槽的内...