本申请涉及整流器芯片的技术领域，尤其涉及一种窄基区大电流桥式整流器芯片，其包括硅片，所述硅片由上至下包括P+层、N层、N+层，所述P+层与所述N层之间形成PN节，所述硅片周侧环绕设置有压电槽，所述压电槽由所述P+层顶面延展至N层并在N层...

本申请涉及半导体器件的技术领域，尤其涉及一种高静电场效应管，其包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置有源极、漏极，所述源极和漏极处于所述半导体衬底的不同位置，所述源极与所述漏极之间设置有栅极，所述栅极与所述半导体衬底之间设置有多层栅极氧化...