本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种器件，包括至少部分形成于碳化硅（SiC）基板内的单位单元，所述单位单元包括：垂直轴，其限定于所述单位单元的区域处；第一下沉区，其形成于所述SiC基板中且具有第二...

本文描述了一种器件。该器件包括位于SiC基板上的单位单元。该单位单元包括闸极绝缘膜、井区中的沟槽、具有第二导电类型的第一下沉区和具有第二导电类型的第二下沉区。第一下沉区的深度等于或大于井区的深度。第一下沉区和第二下沉区中的每一者与具有第...