富士胶片株式会社专利技术

富士胶片株式会社共有12395项专利

  • 本发明提供一种曝光装置及曝光方法,能高精度地投影曝光图像。作为曝光装置的构成元件,具备:射出曝光光的光源;DMD,其上二维状排列多个像素部,基于图像信号按每个像素部对从光源入射到多个像素部的曝光光进行空间光调制;远心光学系统,其被配置在...
  • 一种图像检测器,具备:并列配置的多个扫描布线;与该扫描布线交叉的多个数据布线;以矩阵状设置的薄膜晶体管,其与扫描布线和数据布线连接;以矩阵状设置的传感部,其与薄膜晶体管连接;和多个公共布线,其以矩阵状形成,向传感部共同施加偏压电压。通过...
  • 通过使用由曝光头(166)发出的曝光光线照射光敏材料,将涂覆有光致抗蚀剂(150a))的光敏材料(例如,玻璃基板(150)以预定的图案曝光,所述曝光头(166)发出通过空间光调制装置调制的光。对于每一种光敏材料,所述曝光头(166)和所...
  • 本发明提供:在不使用光掩模的情况下,通过减小在光敏层的曝光表面上形成的图案的分辨率的变化和密度的不均匀性制备内单元结构的方法;通过上述方法制备的精细内单元结构;以及使用该内单元结构的显示器。所述用于制备内单元结构的方法包括通过指定用于N...
  • 本发明提供一种金属抛光液和使用该金属抛光液的抛光方法,该金属抛光液在半导体器件生产过程中用于由铜或铜合金制成的导体膜的化学机械抛光,其中所述金属抛光液包含下列组分(1)、(2)和(3):(1)由下式(Ⅰ)表示的氨基酸衍生物,其中,在式(...
  • 本发明提供一种用于半导体器件化学机械抛光的金属抛光组合物,所述金属抛光组合物包括:(a)由下式A表示的化合物、(b)由下式B表示的化合物、(c)磨料粒和(d)氧化剂,其中在式A中,R↑[1]表示含1至3个碳原子的烷基;而R↑[2]表示氢...
  • 一种通过在基板上固化高分子化合物而得到的半导体器件用绝缘膜,所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的,其中所述笼型硅倍半氧烷化合物的结构不因固化而破裂,并且通...
  • 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液,所述抛光液包含:双季铵阳离子;腐蚀抑制剂;和胶体二氧化硅,其中所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。根据本发明,可以提供能够实现优异阻挡层抛光速率以及抑制由于固体磨料粒的聚集而...
  • 本发明的目的在于提供一种表面故障少、可以防止显色剂引起的光灰雾、未曝光膜的破裂少、析像度高、遮盖膜强度高而且图案形成后的剥离性良好、可以形成更高精细的图案的图案形成材料以及具备该图案形成材料的图案形成装置及使用所述图案形成材料的图案形成...
  • 一种贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法,该方法包括:在具有由塑料制成的湿润表面的容器中贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液,并且所述的涂布溶液含有至少一种硅烷偶联剂。
  • 一种压电器件(1)包括:压电体(13)以及多个电极(12,14), 它们将电场以预定方向施加到所述压电体(13)。所述压电体(13) 包含一种无机化合物多晶体,该无机化合物多晶体包含当未施加电场 时具有晶体取向特性的第一铁电物质晶体,并...
  • 一种金属抛光液,其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光,所述金属抛光液包含:(1)由式(Ⅰ)表示的氨基酸衍生物;和(2)表面活性剂,其中在所述式(Ⅰ)中,R↑[1]表示含1至4个碳原子的烷基,并且R↑[2]表示含...
  • 本发明提供一种研磨液,其是使用了阻挡CMP中应用的固体磨粒的研磨液,阻挡CMP中对由阻挡金属材料构成的阻挡层进行研磨,该研磨液可以对研磨阻挡层时的被研磨膜维持高研磨速度,并且可以充分抑制对于低介电常数的Low-k膜的研磨速度。所述研磨液...
  • 一种压电体(13),含有铁电物质相,所述铁电物质相的特征为,在从没有施加电场时增加外加电场的情况下,所述铁电物质相向不同晶系的铁电物质相的相变至少发生两次。优选地,所述压电体(13)应在使得最小外加电场Emin和最大外加电场Emax满足...
  • 一种压电元件及其制造方法和液体排出装置,在压电元件中,压电体膜包含以下强电介质相中的任意一种:由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足-45°<θm<+45°且θm≠0°的强电介质相(Ⅰ);自发极化轴相对...
  • 复合压电材料、超声波探头、超声波内窥镜和超声波诊断设备。该复合压电材料能够减少要用于在超声波成像中发送或者接收超声波的振动器阵列的峰值温度。该复合压电材料包括:沿着平面或者曲面布置的多个压电材料;以及各向异性导热材料,其在至少一个方向上...
  • 本发明提供一种用于抛光含钌阻挡层的抛光液,所述抛光液被用于对半导体器件的化学机械抛光,所述的半导体器件在其表面上具有含钌阻挡层和导电金属布线,所述抛光液包含:氧化剂;和抛光微粒,所述抛光微粒具有按莫氏硬度计为5以上的硬度和其中主要成分不...
  • 感光性组合物包含由式(Ⅰ)表示的化合物,并且可固化组合物含有式(Ⅰ)化合物和可聚合化合物。化合物由式(1)表示,并且光可固化组合物含有式(1)化合物和可聚合化合物。在式(Ⅰ)中,R、R↑[1]和R↑[2]各自独立地表示氢原子或一价取代基...
  • 本发明提供一种压电元件,其通过使用等离子体的气相成长法在基板上经由电极将压电膜进行成膜。压电膜为一种或多种钙钛矿型氧化物(也可以含有不可避免的杂质),由向相对于基板面为非平行方向延伸的多个柱状结晶体构成的柱状构造膜构成。在柱状构造膜的表...
  • 本发明涉及一种滤光器,其包括透明的支持体和滤光层。滤光层在560-620nm的波长范围内具有最大吸收,而且最大吸收的半峰宽为5-50nm的范围。该滤光器可充分地吸收影像显示装置(特别是等离子体显示板)中不适当的光。