本发明涉及一种用于对光伏太阳能电池进行质量检查的方法，包括以下方法步骤：在方法步骤a中执行功率测试，其方式是，用光对太阳能电池进行加载，并根据检查标准A检查，是否至少能提取预先规定的最小电功率PMin，以及执行发热测试，其方式是，用预先...

本发明涉及用于将入射电磁辐射转化成电能的光伏太阳能电池，包括：至少一个在硅衬底内形成的基极掺杂型基极区；至少一个发射极掺杂型发射极区，该发射极掺杂型是与基极掺杂型相反的掺杂型；至少一个金属基极接触结构，该基极接触结构与基极区导电相连，和...

本发明涉及一种用于产生电子束的设备，其包括：壳体（12），该壳体（12）形成可排空的空间（13）的边界并且具有电子束出射开口；用于将工作气体输送到可排空的空间（13）中的入口（16）；平面的阴极（14）和阳极（15），所述平面的阴极（1...

本发明涉及基于偏硅酸锂体系（Li2O·SiO2（Li2SiO3））的玻璃陶瓷，所述玻璃陶瓷能够以简单的方式在中间的结晶步骤进行机械加工，并在完全结晶后表现为高强度、高度半透明和化学上稳定的玻璃陶瓷。

本发明涉及一种制造用于电接通光电太阳能电池的金属接触结构的方法，为了形成这种接触结构，将含金属微粒的膏状物通过至少一个输出口施加到基体表面，在膏状物输出时，输出口和基体相对彼此运动。本发明的特征是，膏状物在循环区域内循环，分别在多个分支...

本发明涉及一种用于在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法。该方法包括下列方法步骤：A)施加掺杂层(2)到该半导体衬底的发射侧上；B)局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，借助液...

本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的方法，所述太阳能电池具有构成为用于光耦合的前侧，该方法包括下述方法步骤：A在基极掺杂型的半导体基底中形成多个孔口；B至少在所述半导体基底的前侧上形成一个或多个发射极掺杂型的发射极区域，其中发射极掺杂型与...

本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的方法，包括下列方法步骤：A对硅半导体基体(1)的前侧(2)进行纹理化，所述硅半导体基体掺杂有基极掺杂型；B在所述半导体基体(1)所述前侧(2)上生成至少一个选择性掺杂结构，其方式是，在所述前侧(2)上生...

本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的金属接触结构的方法，包括下述方法步骤：将非导电性绝缘层涂敷于半导体衬底表面上；将金属接触层涂敷于所述绝缘层上；并在半导体衬底和恰好穿过所述绝缘层的接触层之间产生多个局部的导电性连接。所述金属接触层用两种...

本发明涉及一种用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的硅半导体衬底(1)，所述高掺杂和接通以下述方式进行：在半导体衬底的接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成多个基区掺杂类...

一种用以将代表一空间音频场景中的第一收听位置或第一收听方向的第一参数式空间音频信号转换成代表第二收听位置或第二收听方向的第二参数式空间音频信号(112，114)的装置(300)被描述，该装置包含：一空间音频信号修改单元(301，302)...

一种用以基于编码音频信息来提供解码音频信息的音频解码器包含用以基于多个频谱值的算术编码表示来提供多个解码频谱值的算术解码器，及使用所述解码频谱值来提供时域音频表示以获得解码音频信息的频域至时域变换器。算术解码器被配置成依据由一数值当前脉...

一种用以基于编码音频信息来提供解码音频信息的音频解码器包含用以基于频谱值的算术编码表示来提供多个解码频谱值的算术解码器，及使用所述解码频谱值来提供时域音频表示以获得解码音频信息的频域至时域变换器。算术解码器被配置成依据由一数值当前脉络值...

本发明涉及一种利用相变材料蓄热和放热的方法，其中在蓄热过程中，在吸热情况下，在第一换热器(4)中的、包含相变材料的蓄热介质中获得相变，以便作为潜热在蓄热介质中蓄热，并且在放热过程中，在第一换热器或另一个换热器(2)中在放热情况下在蓄热介...

一种用以基于编码音频信息来提供解码音频信息的音频解码器包含用以基于频谱值的算术编码表示来提供多个解码频谱值的算术解码器，及使用所述解码频谱值来提供时域音频表示以获得解码音频信息的频域至时域变换器。算术解码器被配置成依据由一数值当前脉络值...

本发明涉及一种基于二硅酸锂体系的玻璃陶瓷，所述玻璃陶瓷易于在中间的结晶步骤进行机械加工，并在完全结晶后表现为高强度、高度半透明和化学上稳定的玻璃陶瓷。此外，本发明还涉及生产所述玻璃陶瓷的方法。本发明所述的玻璃陶瓷被用作牙科材料。

本申请涉及一种用于确定激光切割工艺的切割结果的方法，该切割结果依据沿着切割面构造固化脊和/或在切割面的下边缘上形成毛刺而被评估，其中在仿真程序中提供了虚拟激光切割机，所述虚拟激光切割机可以以来自参数空间P的值P0的集合运行。在步骤a）中...

本发明涉及一种用于局部电接触半导体结构的金属结构的制造方法，其中，半导体结构为太阳能光伏电池或太阳能光伏电池的前体，并且具有至少一个半导体层，方法包括下列步骤：a、在半导体层上涂覆至少一层电绝缘的隔离层；b、在隔离层上涂覆至少一层分离层...

本发明涉及一种接触式太阳能电池，所述接触式太阳能电池在前侧和后侧具有用于所述太阳能电池的电接触的接触位置。通过安装在前侧或后侧的导体使所述太阳能电池产生的电流流过所述太阳能电池。根据本发明，以所述接触位置在该太阳能电池的前表面投影中不重...

本发明涉及一种太阳能电池，包括：一个硅层、一个构造成用于光输入的正面和一个背面，所述硅层具有第一掺杂类型的掺杂，其中，硅层是掺杂的基层(1、21、31)，在硅层的背面上设置至少一个织构层(2、22、32)和一个金属层(4、24、34)，...