一种半导体二极管，具有低正向导通压降、低反向漏电流和高电压能力，适合于用在集成电路中和用做分立器件。可以和具有公用的栅和漏连接的场效应器件的制备一样，通过提供了很短沟道、浅漏区和纵向缓变结的工艺制备半导体二极管。在特别设置的锥形边缘场氧...

此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件，它用半导体底座（３０４）形成，并具有一个二极管端子（３２４）作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅（３１８）与漏（３１２）之间的公共连接以及一个二极管端子（３３０）作为对垂直金...