本发明公布一种衬底上不同深度沟槽的制作方法及该方法制得的衬底，制作方法包括：在衬底上生长掩膜层，干法刻蚀掩膜层，去除位于第一位置上方的部分掩膜层并形成第一沟槽，去除位于第二位置上方的掩膜层形成第二沟槽，第二沟槽的底部为第二位置；干法刻蚀...

本发明公布一种消除刻蚀残留的方法及该方法制得的衬底结构，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面设置有台阶；在衬底上制作牺牲层，所述牺牲层覆盖所述台阶；以及利用干法刻蚀的方式反刻所述牺牲层，去除位于所述台阶上表面上的所述牺牲层，在所述...

一种SPNP管的制作方法及SPNP管，包括如下步骤，PC区硼氧化作为掩蔽；PC区光刻，将光刻版的图形转移到硅片上，BOE腐蚀10分钟，将掩蔽层腐蚀尽，硫酸去胶，注入阻档氧化层，在PC区进行硼注入，将总剂量分为4至8次注入，在注入的间隔进...

一种双向可控硅的制作方法，包括如下步骤，选取N型单晶硅材料片，在所述N型单晶硅材料片上生长一层2.0um以上氧化层，用双面光刻机刻出正、反面隔离图形，并用化学腐蚀液去除不需要的氧化层腐蚀出隔离区域，在所述隔离区域上沉积P型杂质源，然后进...

一种平坦化反刻方法，包括如下步骤，在硅片表面先沉积牺牲层，牺牲层的厚度高于硅片上最大台阶高度，然后涂覆光阻材料层，进行第一步腐蚀步骤，蚀刻光阻材料层至牺牲氧化层最高处，进行第二步腐蚀步骤，蚀刻剩余光阻材料层及牺牲层，蚀刻光阻材料层和牺牲...

一种PSG钝化层压点腐蚀方法，包括如下步骤，将层压点待腐蚀的PSG钝化腐蚀片放入NH4F：CH3COOH＝10：7的混合溶液中进行腐蚀，腐蚀至压点区剩余2000～3000A的PSG厚度，再将PSG钝化腐蚀片放入NH4F：CH3COOH＝...

一种电路板刻蚀工艺，在沉积化学气相沉积物之后，进行下述步骤，通入惰性气体，气体气压为1600mT以上。区别于现有技术，上述技术方案通过在进行化学气相沉积物时通过惰性气体冲击进行介质层平坦化的刻蚀，方便快捷并且避免化学反应影响电路板性能，...

一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法，包括如下步骤，在腐蚀槽中配制SiO2腐蚀溶液，配比为NH4F：HF＝12：1～NH4F：HF＝14：1，温度稳定在38±0.5℃将发射区SiO2腐蚀片放入所述腐蚀槽中腐蚀，将腐蚀好的片子放入冲水槽中冲...

本发明公开了一种改善集成电路厚铝蒸发镀膜工艺铝条缺口的方法，采用合金铝作为蒸发源材料。本发明可以有效地改善传统厚铝（铝膜厚度超过2.5μm）镀膜后的铝层空洞现象，从而解决后道湿法刻蚀后出现的铝条缺口问题。该方法简单易行，有利于推广应用。

本发明提供一种平面可控硅制造方法，可以得到超过1000V耐压与小于1uA的漏电流。包括对穿隔离、多层环分压、深基区扩散、磷扩散发射区与截止环、平面钝化工艺。本发明由于采用平面制造工艺，可以提高晶圆直径，降低生产破片率，并且可以采用自动化...

本实用新型涉及一种中大功率半导体器件压点的金属连线结构，包括设有体区和压点区的中大功率半导体器件，所述体区上设有第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层中部设有深度穿透第一介质薄膜层至压点区的沟槽和接触孔；所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由...

本实用新型涉及一种电力电子器件的压点的金属连线结构，包括设有体区和压点区的电力电子器件，所述体区上设有第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层中部设有深度穿透第一介质薄膜层至压点区的沟槽和接触孔；所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由下往上依次...

本实用新型涉及一种集成电路的输出管压点的金属连线结构，包括输出管，所述输出管上设有压点区，所述输出管上设有一第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层上的接触孔正对压点区，所述第一介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第一介质薄膜层，其内填充有钛钨过度层...

本发明涉及一种功率MOS器件硅沟槽制作方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）进行LPSiN掩蔽层的刻蚀；2）进行硅沟槽的刻蚀，该方法操作简单，易于控制，只需控制硅沟槽刻蚀过程中各步骤的刻蚀时间即可控制沟槽的形貌。

本发明涉及一种提高投影步进光刻机对准信号的方法，该方法在不占用更多的版图空间的情况下，使目标十字和对准十字的排列组合尽量多，以提高硅片的套准精度和良率，可以解决目前投影步进光刻机上普遍存在的因为产品工艺多样化所产生的对准信号差异问题，其...

本发明涉及一种6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）选择合适的POWERMOS管衬底片，并进行一定的前处理；2）对衬底片在一定温度下进行HCL气相腐蚀；3）进行第一次H2变速吹扫；4）在衬底片上淀积一...

本发明涉及一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）预刻蚀，以去除金属层表面氧化物及ARC层；2）刻蚀1/2~2/3厚度的铝介质层；3）刻蚀剩余1/3~1/2厚度的铝介质层，并去除残留物层，此方法可降低...