【技术实现步骤摘要】
一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法
本专利技术涉及一种双极型集成电路制作过程中发射区SIO2湿法腐蚀工艺。
技术介绍
通常的发射区SIO2湿法腐蚀是在1:6(HF与NH4F)混合腐蚀液在28度温度下完成,这样发射区腐蚀出来的台阶型貌比较抖直,在下道金属覆盖时发射区台阶处形成空洞,在负胶湿法腐蚀时发射区台阶缺口断条。如何改善发射区台阶型貌,如何提高发射区金属覆盖工艺质量,已成为工程技术人员重要研究课题。
技术实现思路
为此,需要提供一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法,解决制作发射区台阶的问题。一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法,包括如下步骤,在腐蚀槽中配制SiO2腐蚀溶液,配比为NH4F:HF=12:1~NH4F:HF=14:1,温度稳定在38±0.5℃将发射区SiO2腐蚀片放入所述腐蚀槽中腐蚀,将腐蚀好的片子放入冲水槽中冲洗干净,然后再放入甩干机干燥;利用硫酸去胶机去除光刻胶,最终完成SiO2腐蚀的整个过程,完成发射区图形。具体地,还包括步骤,氧化6200A发射区氧化层,光刻形成所需图形作为腐蚀掩护。具体地,还包括步骤,腐蚀前坚膜。区别于现有技术,上述技术方案能够使得发射区台阶碗口变宽;下道铝膜覆盖时,台阶覆盖良好没有空洞;且铝膜腐蚀时,台阶处铝条完整无缺口断条。附图说明图1为具体实施方式所述的发射区前工艺示意图;图2为具体实施方式所述的光刻形成腐蚀掩护示意图;图3为具体实施方式所述的混 ...
【技术保护点】
1.一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法,包括如下步骤,/n在腐蚀槽中配制SiO2腐蚀溶液,配比为NH4F:HF=12:1~NH4F:HF=14:1,温度稳定在38±0.5℃/n将发射区SiO2腐蚀片放入所述腐蚀槽中腐蚀,/n将腐蚀好的片子放入冲水槽中冲洗干净,然后再放入甩干机干燥;/n利用硫酸去胶机去除光刻胶,最终完成SiO2腐蚀的整个过程,完成发射区图形。/n
【技术特征摘要】
1.一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法,包括如下步骤,
在腐蚀槽中配制SiO2腐蚀溶液,配比为NH4F:HF=12:1~NH4F:HF=14:1,温度稳定在38±0.5℃
将发射区SiO2腐蚀片放入所述腐蚀槽中腐蚀,
将腐蚀好的片子放入冲水槽中冲洗干净,然后再放入甩干机干燥;
利用硫酸去胶机去除光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员:方鼎铭,李雪春,
申请(专利权)人:福建福顺微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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