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一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法，包括如下步骤，在腐蚀槽中配制SiO2腐蚀溶液，配比为NH4F：HF＝12：1～NH4F：HF＝14：1，温度稳定在38±0.5℃将发射区SiO2腐蚀片放入所述腐蚀槽中腐蚀，将腐蚀好的片子放入冲水槽中冲洗干...
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