本发明属数据库技术领域，具体提出了一种新型的基于ＲＭＱ的关键字检索方法，这种检索方法通过有效的预处理，可以消去ＸＭＬ上关键字检索时借助Ｄｅｗｅｙ编码求解共同祖先的时间系数ｄ，同时由于仅存储结点的欧拉序列而不是Ｄｅｗｅｙ编码，可以有效减少...

本发明属数据库技术领域，具体提出了一种新型的ＸＭＬ文档压缩算法，该方法步骤是：ａ．将ＸＭＬ文件划分为６４Ｋ的ＸＭＬ文档片断；ｂ．计算ＸＭＬ文档片断之间的差异；ｃ．压缩文档片断之间的差异。解压缩步骤与该过程相反。这是一种高效的基于计算文件...

本发明基于Ｂ↑［＊］－ｔｒｅｅ的表示法和模拟退火算法提出了ＳｏＣ布局的平面布图规划方法，本方法用于实现ＳｏＣ平面布局中不同种类模块混合布局的约束，针对实际布局中的连接关系、功耗满足、电源网络构建等要求而实现的ＳｏＣ混合布局约束要求；本发...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种针对模拟电路应用的低温度系数、低噪声的新型带隙基准参考源。电误差放大器、ＰＭＯＳ控制管、ＰＭＯＳ输出管、控制电阻、输出电阻和带隙电流产生电路组成。该带隙基准参考源可以产生稳定的电压和电流，并且它的核...

本发明属于模拟集成基准源电路技术领域，具体为一种无ＢＪＴ结构的ＣＭＯＳ电压基准源。它由启动电路，偏置电路和基准产生电路三部分连接组成。该电压基准源仅采用ＭＯＳ管来实现基准电压，无需寄生三极管，因此结构简单，功耗低，面积小，适合于功率管驱...

本发明属于基准源模拟集成电路技术领域，具体为一种适用于Ｓｕｂ１Ｖ的电流模式的基准电压源量产的启动电路。该电路由３个ＰＭＯＳ管、２个ＮＭＯＳ管和一个电阻经电路连接构成，基准电压部分由３个ＰＭＯＳ管、一个运放、三个三极管及一些电阻经电路连接...

本发明属于基准源模拟集成电路技术领域，具体为一种适用于Ｓｕｂ１Ｖ的电流模式的基准电压源的启动电路。该电路由３个ＰＭＯＳ管构成，第一ＰＭＯＳ管为偏置ＰＭＯＳ管，其栅端由ＶＢＩＡＳ提供偏置电压，漏端接第二ＰＭＯＳ管和第三ＰＭＯＳ管的源端，第...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型的可降低∑Δ量化噪声折叠的高线性度的电荷泵电路。该电路通过提高电荷泵电流源的输出阻抗，减小由于输出电压变化引起电话泵的上／下电流源之间的不匹配，提高电荷泵的线性度，减小了输出的参考时钟毛刺，同时...

本发明提供一种新型的无需片外补偿电容的低压差线性稳压器。它由两级误差比较器、一个功率ＰＭＯＳ管、两个用于频率补偿的电容和一级跨导反馈电路构成。所采用的频率补偿网络以及小尺寸功率管的设置使得本发明提出的低压差线性稳压器能够实现在全负载电流...

本实用新型提供了一种自动的压强控制装置。两个气体容器相嵌套，其中较小的容器以乳胶管为侧壁，当较大容器内的气压设定时，该乳胶管与抽气口组成的控制阀可自动改变气阻，调整抽速，使气压得以保持不变。本实用新型性能稳定、安全可靠，对于发热或漏热不...

本实用新型提供了一种自动的压强控制装置，它采用真空橡皮膜隔离两个气体容器，其中一个容器气压设定时，另一个容器中气压的变化可使橡皮膜靠近或远离抽气口，从而改变气阻，调整抽速，使恒温设备的气压得以自动控制。本实用新型不含有害物质，结构稳定、...

本实用新型属电子技术领域，具体为一种温度和湿测量和控制的电路。其电路由ＲＣ振荡模块、采样模块、映射和显示模块、预置和控制模块组成。其中，振荡脉冲的计数值与温、湿度的映射关系存放在ＲＯＭ中，经查表可得温、湿度值；再把测得的温、湿度值与设定...

本实用新型属于机器人技术领域，具体涉及一种具备丰富的运动自由度、并能智能控制的移动式互动服务机器人。机器人本体结构包括头颈、手臂、躯体、底座等结构，具备９个独立的运动自由度。系统采用ＰＩＤ反馈控制，能够精确控制伺服电机的速度，从而控制各...

本发明属气体传感器技术领域，具体为一种特高频气体检测传感器的超声场气体脱附方法及其调控单元。该方法是对气体传感器的敏感膜施加２０ＫＨｚ～１ＭＨｚ的超声交变电场，使气体的极性分子去极化，同时通入Ｎ↓［２］将气体分子带走。相应的调控单元包括...

本发明是一种摩托车点火器调试仪。目前已有的技术均以机械方式调试，其调整过程不仅繁琐，精度也差，人为因素占了很大比例。本发明设计用微机控制摩托车点火器调试仪，用定时、计数器８２５３和两个Ｄ触发器产生磁电机转速信号，电阻箱的调整以模拟开关切...

本发明属于汽车电子技术领域，具体为一种基于空气传感技术和电子控制技术的汽车环境监控系统。本系统由单片机、空气传感器、信号调理电路、显示屏、控制按钮、蜂鸣器及车窗控制接口电路组成。空气传感器实时监测汽车车厢空气中的氧气、一氧化碳、甲醛、甲...

本发明提出一类特别适用于蓝光（波长４５０ｎｍ）和红光（６５０ｎｍ）可写数字视盘（ＤＶＤ－Ｒ）的新型信息存贮材料：非化学配比的络合物Ｍ↓［１－β］Ｔ，此处Ｍ为Ⅰ族金属元素（锂、钠、铜、银等），Ｔ为四氰基对醌二甲烷。它们在这两种波长的光刺激...

本发明为一种用于体硅微机械加工的局部光刻方法。它利用一个隔离装置结合局部光刻工艺，实现硅背部腐蚀和正面保护。所述隔离装置由隔离圈和密闭容器和硅片托盘组成，隔离圈将腐蚀液和硅正面隔离。本发明可确保腐蚀液无渗漏，边缘掩膜完好，正面无腐蚀痕迹...

本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为ＳＵ８胶，下层为ＬＯＲ胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到ＳＵ８上，接着ＳＵ８...

本发明属于光子晶体技术领域，具体为一种由纳米压印技术制备水凝胶可调谐振光子晶体。本发明先设计成二维光子晶体图形结构，制作出ＰＤＭＳ弹性印章作为模板，采用流体铸模和纳米压印技术将ＰＤＭＳ上的光子晶体结构转移到水凝胶上，即得到水凝胶可调谐振...