本实用新型属于水处理技术领域，涉及一种污水处理或中水回用处理的设备，特别是一种集生物厌氧、好氧处理与沉淀工艺于一体的水处理装置。它由进水渐变管，厌氧上流式沉淀室，好氧接触氧化室，曝气装置，泥渣悬浮层，斜管（或过滤出水），集水管，排泥管，...

本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫...

本实用新型属于航空技术领域，具体涉及一种ＬＥＤ精密进近航道指示灯。包括底座、可调支撑腿、水平仪、透镜、微调器、光阑片、ＬＥＤ光源和驱动器等，箱体和水平仪均位于底座上，透镜安装在透镜支架上，光阑片安装在光阑支架上，ＬＥＤ光源安装在ＬＥＤ支...

本发明属于水产育苗中饵料生物培养技术领域，具体为一种藻和浮游动物联动培养装置。该装置包括藻类培养桶、浮游动物培养桶、营养液储备罐、消毒器、连接部件和附属部件等，在藻类培养桶和浮游动物培养桶之间可进行气体交换和藻液注入。本发明很好的解决了...

本实用新型涉及机场助航灯具领域，具体涉及一种ＬＥＤ机场滑行道中线灯。由灯具底座、内盖、上盖、出光窗口、变压器、线路板、光源支架、光学系统和大功率ＬＥＤ等组成，变压器位于灯具内盖底部，线路板通过导线连接变压器，线路板两侧分别设有光源支架，...

本发明属化工材料技术领域，具体为一种超双亲自清洁涂层材料及其制备方法。本发明的涂层材料由纳米ＴｉＯ２粒子与有机－无机杂化基质构成，通过阳光辐照获得超双亲自清洁特性，其中纳米ＴｉＯ２粒子含量为０．５－１０％，有机－无机杂化基质由硅氧烷低聚...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法。该埋层结构包括至少一个半导体衬底和一层置于该半导体衬底内部的金属硅化物埋层。该金属硅化物埋层可以用做竖直沟道晶体管的埋层源极或漏极的电极，也可以用来形成器件之间的...

本发明公开了一种多阻态电阻随机存储器单元及其制备方法，属于微电子技术领域。该存储单元包括衬底和金属－绝缘层－金属（ＭＩＭ）结构单元，ＭＩＭ结构单元的电极之一为铜，另一电极为铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘层为低介电常数ＳｉＯＣＨ...

本发明属药物制剂领域，涉及一种眼用脂质体及其制备方法。本发明克服现有技术的普通滴眼剂在结膜囊内滞留时间短，导致其眼部生物利用度低，及半固体剂型的顺应性不好，不易被患者接受等缺陷，提供了眼用生物黏附脂质体制剂。本发明由脂质体、脂质体膜修饰...

本发明属废弃物快速资源化利用领域，具体涉及一种资源化利用生活污水厂回流污泥的方法。本方法将污水厂未脱水回流污泥倾倒入一定规格玻璃容器中，以泡沫塑料为浮床，观赏植物种植其中，以普通盆栽土为对照，控制实验温度白天为３０℃－３５℃，不添加营养...

本发明属应用光学领域。涉及可实现聚焦和跟踪伺服以获得可控亚微米直径激光光斑输出的方法及系统。本发明利用宏微结合的三维纳米精密移动台及运动控制系统驱动精密光学系统，实现对一定频率的激光光束在ＸＹ平面上的灵活调节与纳米级精确定位，同时实现对...

本发明属于有机化学技术领域，具体为提供一种（４Ｓ，５Ｒ）－半酯的制备方法。其特征在于：将环酸酐在９－表奎宁脲催化剂的存在下与醇进行对映选择性开环制备（４Ｓ，５Ｒ）－半酯。此法可使（４Ｓ，５Ｒ）－半酯的制备在室温的条件下获得高收率和高立体...

本发明属废气处理技术领域，涉及一种工业有机废气处理方法，本方法采用丝网除水、介质阻挡放电等离子体和活性碳纤维吸附相结合的方法治理工业有机废气，通过丝网除水器去除废气中的液滴，确保后续介质阻挡放电等离子体正常运行；采用双介质阻挡放电等离子...

本发明属有机化学和物理学科的交叉领域，涉及可负载型纳米介孔电流变液材料ＳＢＡ－１５的制备方法。本发明在常规制备ＳＢＡ－１５材料体系的基础上加氟化铵及以癸烷或十二烷作溶剂制得椭圆（片状、长方体状）ＳＢＡ－１５功能材料，使该材料孔道方向沿短...

本发明属中药领域，具体涉及一种从软紫草中提取含软紫草总酚酸有效部位（咖啡酸四聚体为指标成分）的软紫草总酚酸及其在制药中的用途。所述的软紫草总酚酸作为药物活性成分制成抗ＨＩＶ的注射剂药物，包括小容量软紫草总酚酸注射剂和软紫草总酚酸冻干粉针...

本发明属于照明控制领域，具体涉及一种类太阳光谱ＬＥＤ的调光方法。本发明采用集成封装有多颗涵盖可见光范围的不同颜色的ＬＥＤ芯片的类太阳光谱ＬＥＤ为光源器件，通过理论计算和实验来拟定和修正模拟不同色温太阳光所需要的多个单色ＬＥＤ辐射通量的比...

本发明属于ＬＥＤ封装技术领域，具体涉及了一种类太阳光谱ＬＥＤ的封装方法。本发明采用不同颜色的ＬＥＤ芯片为光源，将多颗涵盖可见光范围的不同颜色的ＬＥＤ芯片集成封装在一起，每种芯片通过相应引脚与外部实现电器连接，通过对各芯片辐射通量的控制来...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种源极为窄禁带宽度的互补隧穿晶体管（ＣＴＦＥＴ）结构及其制备方法。该互补隧穿晶体管由源极为窄禁带宽度的Ｕ形Ｎ型隧穿晶体管（ＮＴＦＥＴ）和Ｕ形Ｐ型隧穿晶体管（ＰＴＦＥＴ）组成。对于Ｎ型隧穿晶体管，使用...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种使用窄禁带宽度材料源极的隧穿场效应晶体管（ＴＦＥＴ）及其制备方法。该隧穿场效应晶体管的源极采用窄禁带宽度材料，并采用Ｕ形沟道结构。由于该ＴＦＥＴ采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种刻蚀铜的方法。该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充ｌｏｗ－ｋ介质。由于光的各向异性特性，本发明提出的湿法刻蚀也具有各向异性的特性，这样可以实现铜和其它多种...