本发明属于半导体存储器封装技术领域，具体为一种基于二维材料与CMOS电路2.5D集成的存储芯片及其制备方法。本发明所述芯片通过采用2.5D封装结构，将由二维材料超快闪存器件芯粒与采用标准CMOS工艺制备的外围控制电路芯粒集成于中介层上，...

本发明属于人工智能与信息检索技术领域，具体为一种面向大模型推荐系统的群组级核心集选择方法。本发明定义核心集选择任务，并以最小化子集微调后测试损失为优化目标；本方法包括：代理优化目标构建：基于最优传输理论和梯度范数分析，考虑候选子集与验证...

本发明属于医药技术领域，具体涉及酪醇在制备防治放射性肠损伤药物中的应用。本发明所述酪醇的CAS编号为501‑94‑0，SMILES为：C1=CC(=CC=C1CCO)O；所述放射性肠损伤为电离辐射所导致的肠道损伤，包括急性放射性肠损伤和...

本发明提供了一种仿生蠕虫机器人及其制成的集群机器人，其中该仿生蠕虫机器人，包括：蠕动运动单元、轮式运动单元，其中所述轮式运动单元包括：第一驱动器、万向轮，所述第一驱动器固定在蠕动运动单元上，所述万向轮与第一驱动器的驱动端连接，设置在蠕动...

本发明涉及一种结合物体视觉与触觉的人类示范机器人操作学习系统及方法，该系统包括依次连接的演示数据采集装置、演示数据分析模块和建模控制模块，其中，演示数据采集装置用于采集多模态人类演示数据，包括视频图像数据和触觉信号数据；演示数据分析模块...

本发明公开了一种面向智能体的注入类漏洞灰盒检测方法，用于检测基于LLM的智能体中的注入类漏洞。本发明通过引入LLM辅助生成特定语义的自然语言种子提示词、多维反馈驱动的种子提示词调度及Sink引导的语义与参数变异器，实现注入类漏洞的高效检...

本发明属于生物医药技术领域，具体涉及一种用于脑肿瘤免疫治疗的溶瘤腺病毒和小干扰RNA共递送系统，尤其是功能性核酸分子与溶瘤腺病毒共递送纳米体系的制备，及其在脑肿瘤免疫治疗中的应用。本发明的共递送系统可以在室温下方便且快速的自组装得到，并...

本发明涉及基于p型氧化铌偶极子的金属‑氧化物‑半导体器件及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明的技术方案包括一种MOS器件，其栅介质叠层自下而上依次包括界面层、高k介电层和包含氧化铌的p型电偶极子层。其制备方法采用原子层沉积工...

本发明属于精细化工技术领域，具体为具有双重交联网络的表面自生成水凝胶海洋防污涂料。本发明海洋防污涂料包括组份A和组份B；组份A由丙烯酸树脂50～75份、溶剂25～50份和助剂0～5份构成，组份B由碱性硅烷偶联剂5～25份、聚乙烯亚胺10...

本发明涉及催化剂技术领域，公开了一种弱CO吸附的反相Cu基催化剂及其制备方法和应用、催化加氢的方法，所述催化剂包括活性组分和助剂组分，活性组分为铜，助剂组分选自VIB族、VIIB族、IIIA族金属元素和IVA族非金属元素中的至少一种；以...

本发明本发明公开了一种基于时频干涉技术的脑深部靶向刺激方法，涉及神经调控技术领域，应用系统包括多对刺激电极模块、数据采集模块、数据预处理模块、时频干涉刺激信号生成模块、中央控制模块及数据存储模块。该方法通过多对刺激电极的“多方位包围式布...

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种二维材料与CMOS单片集成的电荷超注入存储芯片及其制备方法。本发明的电荷超注入闪存芯片，由二维材料电荷超注入闪存器件构成的闪存阵列与采用CMOS工艺制备的包含存储器外围电路的衬底进行单片集成构建...

本发明公开一种基于非旋转对称光源照明的定量相位显微装置及成像方法，属于光学成像技术领域，该装置包括柱透镜光学系统、电动旋转控制单元、图像采集单元以及计算机处理单元；柱透镜光学系统设于装置壳体内，包括将显微镜光源转化为非对称照明光束的光学...

本发明属于飞机系统级多部件协同建模技术领域，具体为飞机系统级多部件协同外推的预测方法。本发明是基于物理‑数据驱动融合的低速工况特性外推技术的；具体根据飞机系统各部件在已知转速下的特性数据，通过物理相似定律与数据驱动模型的协同优化，外推低...

本申请公开了一种混合储能系统的分层协调控制方法和设备，涉及电力调控领域，该方法包括日前调峰步骤、实时调频步骤和SOC恢复步骤，日前调峰步骤包括：确定电网的目标负荷曲线，根据目标负荷曲线确定调峰需求，根据调峰需求调用能量型储能电池储能系统...

本发明属于软件工程技术领域，具体为轻量压缩上下文生成的代码快速修复方法。本发明通过构建“检索‑压缩‑生成”协同架构实现高效修复；包括：构建跨文件代码检索数据库，设计轻量语义压缩编码器（SCE），将检索到的跨文件代码块压缩为高语义密度的短...

本发明公开了TGM2通过非经典酶活途径调控KRAS泛素化降解、防治相关癌症的应用，属于生物医药技术领域。本发明验证了TGM2通过非经典酶活途径抑制KRAS泛素化，确定了KRAS上的关键泛素化位点，阐明了两者相互作用的结构基础。筛选并验证...

本发明属于半导体微纳结构制备技术领域，具体为一种直接基于硅衬底的锗硅准悬浮微环及其制备方法。首先通过微纳模板制备顶部中心区域凹陷的硅微柱，然后异质外延生长锗硅薄膜，最后通过硅的选择性湿法刻蚀后得到准悬浮的高质量锗硅微环谐振腔。本发明制备...

本发明涉及一种单性别原代小胶质细胞的培养方法以及在制备小鼠模型中的应用。具体地，本发明提供了单性别原代小胶质细胞的培养方法、单性别原代小胶质细胞的收集方法、跨性别小胶质移植的小鼠模型的制备方法。与现有技术相比，基于本发明的方案，可以在幼...

一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底具有相对的正面和背面，背面具有背部供电网络；若干鳍部，若干鳍部相互独立，鳍部位于正面，鳍部用于构成半导体结构中的逻辑电路；鳍部隔离层，鳍部隔离层位于正面，并位于相邻的鳍部之间；若...