一种高效功率半导体整流器件（１０）包括：δＰ↓［＋＋］层（１２）、Ｐ本底（１４）、Ｎ漂移区域（１６）、Ｎ↓［＋］基片（１８）、阳极（２０）和阴极（２２）。一种制造该器件的方法包括如下步骤：在Ｎ↓［＋］基片（１８）上沉积Ｎ漂移区域（１６）...