本发明涉及电解硬质金镀敷液及使用该镀敷液的镀敷方法，本发明提供一种用于在连接器材料上设置Ｎｉ阻挡层的部分镀敷处理时，可以抑制在Ｎｉ阻挡部形成镀金膜的镀金液。电解硬质金镀敷液含有氰化金及／或其盐、钴盐、有机酸导电盐、含硝基化合物、选自羧酸...

本发明提供了一种适用于电子设备的连接器等的部分电镀的，可以在限定的狭小范围内进行高精度电镀的用于部分电镀的含有金的电镀液。其是含有氰化金盐以金含量计为１．０～１５ｇ／ｌ、脂肪族α－氨基酸１０～１００ｇ／ｌ和传导盐１０～１００ｇ／ｌ的用于...

本发明公开了用于形成突起的非氰类电解金电镀液，其中含有作为金源的亚硫酸金碱盐或亚硫酸金铵、结晶调整剂、亚硫酸钾组成的传导盐５～１５０ｇ／Ｌ、分子量２００～６０００的聚亚烷基二醇１ｍｇ／Ｌ～６ｇ／Ｌ和／或两性表面活性剂０．１ｍｇ～１ｇ／Ｌ...

本发明提供抑制起因于不均匀膜厚的钝化膜产生的镀金的层错，能够形成平坦的金被膜的金凸点或金配线的金凸点或金配线的形成方法。金凸点或金配线的形成方法，其特征在于：是在形成了图形的晶片上，使用非氰系电解镀金浴或氰系电解镀金浴进行电解镀金的金凸...

本发明提供抑制掩模材料开口部电镀时的扩大，能够形成与设计尺寸无显著差别的尺寸的凸点或配线的非氰系电解镀金浴。含有作为金源的亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵、作为稳定剂的水溶性胺、结晶调节剂、作为传导盐的亚硫酸盐和硫酸盐、缓冲剂、以及聚烷撑二...

本发明涉及由作为半导体芯片的电极的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液。该电镀浴液可以消除因为钝化膜的断坡产生的表面凹凸，形成在向半导体芯片的基板上实装时可以达到足够的接合强度的金电镀被膜。本发明的金凹凸或者金布线形成用的非氰系...

本发明公开了一种金－银合金电镀液，其中含有以金含量计１．０～３０ｇ／Ｌ的氰化金钾和以银含量计１．０～２００ｐｐｍ的氰化银钾。该电镀液最好添３０～１００ｇ／Ｌ的焦磷酸钾、２０～５０ｇ／Ｌ的硼酸、０．０５～１５０ｇ／Ｌ的乙二胺或者其衍生物。...

一种用于铜制材料的置换无电解镀金液，是不含有除了亚硫酸金盐以外的亚硫酸盐的用于铜制材料的置换无电解镀金液，其含有的亚硫酸金盐以金离子浓度计量为０．５～１０ｇ／Ｌ，水溶性氨基羧酸化合物为１０～１５０ｇ／Ｌ。水溶性氨基羧酸化合物，可以使亚硫...

本发明提供一种引线接合用的金电镀被膜形成用无电解金电镀液，其特征是含有氰化金化合物和、草酸和／或其盐，不含有衬底金属析出抑制剂。其中最好含有氰化金化合物以金离子浓度计算为０．５～１０ｇ／Ｌ、草酸和／或其盐为５～５０ｇ／Ｌ。上述无电解金电...