本发明的等离子体处理装置包括腔室、基板支承部、高频电源和偏置电源。基板支承部具有偏置电极，设置在腔室内。高频电源构成为为了在腔室内生成等离子体而产生源高频功率。偏置电源构成为向偏置电极周期性地供给具有波形周期的电偏置。高频电源构成为将波...

辅助等离子体处理装置中的工艺性能的提高。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、辅助装置以及控制装置，所述辅助装置具有：第一决定部，其构成为基于与处理前基板的构造有关的第一输入、与处理后基板的要求形状有关的第二输入、与所述等离子体处理装置...

本发明提供掌握等离子体处理的状态的技术。等离子体处理方法在具有腔室和配置于腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理，该等离子体处理方法包括：(a)步骤，将基片配置于基片支承部；(b)步骤，在腔...

本发明的基片处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座；和配置在基座的上部的、具有基片支承面和环支承面的静电吸盘。静电吸盘构成为包括：形成在基片支承面上的多个传热气体供给孔；在基片支承面上以包围多个传热气体供给孔的方...

本发明提供评价装置、评价方法和计算机程序。评价装置包括：获取关于组装在基片处理装置的部件的表面温度分布的数据的获取部；和基于获取到的关于所述部件的表面温度分布的数据，评价所述部件的组装精度的评价部。

提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第...

本公开的一形态的基板处理装置具备：处理容器，其收纳排列为多层的多个基板；处理气体供给管，其沿着所述多个基板的排列方向延伸，向所述处理容器内供给处理气体；以及一对非活性气体供给管，其设于沿着所述基板的周向隔着所述处理气体供给管的位置并且沿...

一种等离子体处理装置，包括：等离子体处理腔室；基板支承部，配置在等离子体处理腔室内且包括下部电极；上部电极，配置于基板支承部的上方；RF电源，用于向上部电极或下部电极提供RF信号，RF信号在第1重复期间内的第1状态之间具有第1功率电平，...

公开的基片支承器包括：第一层；和电介质制的第二层，其配置在第一层上，包含基片支承面和至少1个吸附电极，且具有比第一层高的体积电阻值。第一层包含：第一区域，其与第二层接触，具有第一热传导率；第二区域，其具有比第一热传导率高的第二热传导率，...

本公开说明一种能够抑制通过处理液处理后的基板的处理品质的偏差的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备处理槽、构成为向处理槽供给第一药液和第二药液的供给部、冷却部、浓度测定部、温度测定部、以及控制部。控制部构成为执行以下处理：第一处...

一种高纯度硅的层叠造型方法，其包括：使真空处理容器的内部成为高真空状态的工序；对配置在所述真空处理容器的内部的基板进行加热的工序；使硅粉末堆积在所述基板上的硅粉末堆积工序；使造型用能量射线在所述基板上扫描而形成熔化硅层的熔化硅层形成工序...

提供了一种能够改善在基板上形成的含金属抗蚀剂膜的表面粗糙度的技术。基板处理方法包括：提供包含底膜和在底膜上形成图案的含金属抗蚀剂膜的基板的工序(ST1)；在含金属抗蚀剂膜的表面形成含金属膜的工序(ST2)；和将含金属膜的至少一部分和含金...

本发明提供等离子体处理装置和基片处理装置。等离子体处理装置包括：处理腔室；所述处理腔室内的载置台；气体供给部，其用于向所述处理腔室供给处理气体；第1高频电源，其用于产生等离子体生成用的第1高频电功率；第2高频电源，其用于产生高频偏置电功...

本发明提供形成抗蚀剂图案的方法、制造半导体器件的方法、基片处理装置和存储介质，在通过EUV光刻形成细微的抗蚀剂图案的情况下，能够以高对比度形成抗蚀剂图案。形成抗蚀剂图案的方法依次包括：对包含金属氧化物抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的一部分照射极紫...

腔室在内部设置有能够载置基片的载置台。电极配置在腔室内。测量部设置于电极或与电极连接的配线，用于测量电压、电流中的任意者。气体供给部向腔室内供给用于等离子体化的气体。电源向腔室供给周期性的电功率，该周期性的电功率是使供给到腔室内的气体等...

一个实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：将通过被供给处理液而进行了液处理的基板搬入真空腔室的工序；以及真空烘烤工序，在将所述真空腔室内设为比常压低的预先决定的处理压力的状态下，以预先决定的处理温度来加热所述基板，由此去除由于所述液...

基板处理装置的一个实施方式具备：基板的搬入搬出块；干式清洗块，其具备减压搬送装置和在减压气氛下进行基板的干式清洗的多个处理单元；以及加载互锁块，在该加载互锁块设置有将常压气氛的搬入搬出块与减压气氛的干式清洗块连接的至少一个加载互锁单元，...

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、等离子体生成部、电磁铁单元和电源。基片支承部设置在腔室内。基片支承部包括第一区域和包围第一区域的第二区域，能够在第一区域上载置基片，能够在第二区域上载置边缘环。等离子体生成部构成为能够在腔室...

本发明提供一种使探针的针尖与检查对象的电极高精度接触的技术。提供一种检查方法，通过使设置在探针卡上的探针的针尖与设置在检查对象上的电极接触来检查检查对象，且包括下述工序：由投影部投影光点图案，该光点图案中配置有多个光点；由受光部接收光点...

本发明提供提高可变电抗器的预设值的精度的点火控制方法和基片处理装置。点火控制方法在基片处理装置中执行，该基片处理装置包括：处理容器内的电极对；阻抗匹配装置，其具有可变电抗器和控制流过可变电抗器的电流的电子电路；RF电源，其经由阻抗匹配装...