本发明涉及一种发光二极管的结构及其制法，该发光二极管结构包括有至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线。该硅元件组结合于该发光二极管元件的下方，而该发光二极管元件包括有一蓝宝石基板，且于蓝宝石基板上成长磊晶后再将蓝宝石基板磨薄，...

本实用新型是关于一种高散热发光二极管，该发光二极管包含一基板及一磊晶结构，该磊晶结构设置于该基板，该基板的厚度是小于３０μｍ。从固体热传导公式可知，固体厚度越薄，固体的散热效果越好。所以本实用新型的该发光二极管的该基板的厚度小于３０μｍ...

本发明涉及一种光传感器的输出比例调整方法，该光传感器的调整方法包括以下步骤：测得光传感器的响应光谱；解析响应光谱在不同波长下的光响应比；设计光传感器的受光面积比，且其设计方式依据：“响应光谱”、“光响应比和受光面积的乘积与光电流输出值存...

本实用新型的低噪声光电晶体阵列器件为一种可抑制两光电晶体间的光扩散电流所所导致噪声干扰的晶体器件。其主要是在该晶体的任两光电晶体间设有一阻隔层，使之阻绝光扩散电流。在个别受光区边框上增设一道具反射效果的物质，进而获至高精度受光讯号的功能。

本实用新型涉及一种发光二极管，通过一反射层、一基板、一Ｎ型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一Ｐ型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一Ｐ型金属电极以及一Ｎ型金属电极的组合设计，使该基板形成有周期性排列的多个凸出部，以增加该基板的表面积，...

一种高传输速度ＰＩＮ型红外线接收二极管，其特征在于，该ＰＩＮ型红外线接收二极管包括有： 一厚Ｎ型半导体层； 一薄Ｉ型半导体层，是层叠于上述厚Ｎ型半导体层上； 一Ｐ型半导体层，是配置于上述薄Ｉ型半导体层的中央处； ...

一种发光二极管的制法及其结构，其制法主要包括下列步骤：１．于基材上蚀刻出一凹槽；２．于凹槽底部以离子植入出二掺杂区以形成一双向二极管；３．蒸镀一金属电极于凹槽上；４．对金属电极加工，而将单一金属电极分为正、负二电极；以及５．将晶体结合于...

本发明提出一种以交流电直接驱动、整合整流电路与发光二极管的发光装置，以及其相关的制作方法。此发光二极管发光装置主要包含一下基板、以及一上基板。下基板采用一般集成电路的制造方法将一整流电路实施于其中，并将适当的电气接点设置于其上表面。上基...

本发明涉及一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法及装置，其形成的方法主要包括下列步骤：ａ．将载具置于磁性吸附元件上方；ｂ．将芯片放置于载具中；以及ｃ．再把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金属罩幕，而夹住并固定芯片...

本发明涉及一种发光二极管蒸着膜图案形成的制法及装置，其制法包括下列步骤：ａ．将载具置于磁性吸附元件上方；ｂ．将芯片放置于载具中；ｃ．再把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金属罩幕，而夹住并固定芯片；以及ｄ．将多...