发光二极管蒸着膜图案形成的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法及装置，其形成的方法主要包括下列步骤：ａ．将载具置于磁性吸附元件上方；ｂ．将芯片放置于载具中；以及ｃ．再把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金属罩幕，而夹住并固定芯片，方便进行蒸着；而依上述步骤制出的产品可大幅降低制造成本，且方便制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种大幅降低制造成本、并令产品可方便量产化制造的发光二极管蒸着膜图案形成的方法及装置，尤适于应用在发光二极管电极或类似结构的制造。
技术介绍
发光二极管由于耗电量少、体积小，目前广泛地应用于家电用品的指示灯、移动电话的背光光源、交通号志、广告看板以及汽车第三煞车灯等等。一般发光二极管的制法，首先制作出III-V化合物芯片后，再于III-V化合物芯片上制作金属电极，而后进行切割以形成发光二极管晶粒，最后进行封装作业，即可完成发光二极管的制作。现有的发光二极管金属电极的制作方法，大致可分为二种，第一种方法是先于III-V化合物芯片表面镀上一层金属膜，接续利用微影蚀刻技术形成一图案化光阻层，并以该图案化光阻层为罩幕，蚀刻该金属膜，以完成金属电极的制作；另一种方法则是于III-V化合物芯片上涂布一层光阻并进行微影成像后，镀上一层金属膜，再进行光阻浮离制程，使金属成像完成金属电极的制作。然而，上述该些方法皆需利用微影蚀刻制程才能完成电极的制作，但微影蚀刻制程相当烦琐、复杂，在制作上并具有较高的困难度。因此，提出一种可减化制程、方便制造及大幅降低制造成本，并使所制出的发光二极管具有所需电极，实为本专利技术的用意。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种减化制程、方便制造节省制造成本的发光二极管蒸着膜图案形成的方法。本专利技术的次要目的在于，提出一种令发光二极管芯片上具有所需电极的发光二极管蒸着膜图案形成的装置。为达上述目的，本专利技术提供的发光二极管蒸着膜图案形成的方法所采取的步骤包括a、将载具置于磁性吸附元件上方；b、将芯片放置于载具中；以及c、再把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金属罩幕，而夹住并固定芯片，方便进行蒸着。为达上述目的，本专利技术还提供一种发光二极管蒸着膜图案形成的装置，其包括一载具，上、下各设有一容置空间；一磁性吸附元件，配合载具的一容置空间而设，并置于其中；以及一非磁性金属罩幕，配合载具外形而设的不具磁性的金属薄片，供覆盖于载具的另一容置空间。通过上述精减步骤和装置制出的产品，可大幅降低制造成本，且使产品可方便量产化。本专利技术的其它特点及具体实施例可于以下配合附图的详细说明中，进一步了解。附图说明图1为本专利技术的制造流程图；图2为本专利技术装置元件的分解立体图；图3为本专利技术装置的使用组合剖示图。图中符号说明 10载具11容置空间12容置空间20磁性吸附元件30非磁性金属罩幕40芯片50挡片51定位柱具体实施方式请参图1，本专利技术的方法包括以下步骤步骤a将载具置于磁性吸附元件上方；步骤b将芯片置于载具上；以及步骤c把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件吸附非磁性金属罩幕，以夹住并固定芯片，方便进行蒸着。本专利技术的装置包含有载具10、磁性吸附元件20以及非磁性金属罩幕30，如图2所示，其中该载具10可为圆形、方形或三角形等任意形状，而该载具10的周缘上、下各延伸一适当长度的边框，令载具10的上、下方各形成一容置空间11、12，且该载具10一侧边框上设有数个定位孔。该磁性吸附元件20，配合载具10的外形而设，供置于载具10下方的容置空间11中。该非磁性金属罩幕30为配合载具10外形而设的不具磁性的金属薄片，该不具磁性的金属薄片上设有所需的多孔状几何图形。实际制造时，请参图3，将磁性吸附元件20置于挡片50上设有定位柱51之处，再将载具10设有定位孔的该侧朝下并与定位柱51扣合，令磁性吸附元件20置于载具10下方的容置空间11内，另外，把芯片40置于载具10上方的容置空间12中，最后再将设有所需图形的非磁性金属罩幕30置于芯片40的表面，使非磁性金属罩幕30完整覆盖芯片40，此时，该非磁性金属罩幕30即被下方的磁性吸附元件20的磁力所吸附，该芯片40则被非磁性金属罩幕30与磁性吸附元件20夹住并固定，方便挡片50进行蒸着，以于芯片40上直接形成所需的电极。由上可知，以本专利技术的制法及制出的结构具有如下实用优点1、改变现有芯片电极需以微影蚀刻较繁琐、困难的制程制作的缺陷，而以精简的制程完成芯片电极的制作，故可大幅降低制作成本。2、通过本专利技术的载具、磁性吸附元件以及非磁性金属罩幕的使用，令芯片电极的制作可以方便量产化。以上所述，仅为本专利技术的较佳实施例，举凡依本专利技术权利要求书所做的均等设计变化，均应为本专利技术的技术所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法，其特征在于，包括下列步骤：ａ、将载具置于磁性吸附元件上方；ｂ、将芯片置于载具上；以及ｃ、把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件吸附非磁性金属罩幕，以夹住并固定芯片，方便进行 蒸着。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法，其特征在于，包括下列步骤a、将载具置于磁性吸附元件上方；b、将芯片置于载具上；以及c、把非磁性金属罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件吸附非磁性金属罩幕，以夹住并固定芯片，方便进行蒸着。2.一种发光二极管蒸着膜图案形成的装置，其特征在于，包括一载具，上、下各设有一容置空间；一磁性吸附元件，配合载具的一容置空间而设，并置于其中；以及一非磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚正，
申请(专利权)人：鼎元光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]