电子科技大学专利技术

电子科技大学共有35043项专利

  • 本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法,属于纳米硅的制备技术领域。本发明先在洁净的硅片上进行银镜反应;然后将其放入刻蚀液中在一定温度下进行刻蚀,所述刻蚀液为含有HF和H2O2的混合水溶液;刻蚀完成后的硅片进行水洗,然后除银水洗,最后真空干...
  • 本发明公开了一种集成电路测试仪在线编程动态配置方法,通过在下位机中设置启动闪存选择引脚,用于在测试程序出错的情况下,微处理器直接从NorFlash闪存中取指令执行,等待下载测试程序,用于集成电路的测试;而正常的情况下,通过将NandFl...
  • 本发明公开了一种多支撑向量机模型的磁共振并行成像方法,属于磁共振并行成像领域,它的步骤如下:(1)对K空间中间区域进行全采样,将其划分为训练集和检验集,其它区域加速采样后作为预测集,并对各集合内的数据进行归一化处理;(2)将训练集划分为...
  • 本发明提供一种在P2P直播流系统中,不降低查询效率、索引有效性的前提下,尽量减少系统开销的基于DHT的分布式索引实现方法。在P2P直播流系统中基于DHT的分布式索引实现方法,同一数据块生成的资源标识Key会因源节点的子空间标识符SID不...
  • 本发明公开了一种BD预编码方法及装置。其中,方法包括:根据系统中各用户的下行信道矩阵确定总的用户信道矩阵Hs;对所述总的用户信道矩阵Hs的共轭转置矩阵进行QR分解,得到正交矩阵Q和上三角矩阵R的乘积,将所述总的用户信道矩阵Hs表示为下三...
  • 本发明涉及一种超宽带微带滤波器,包括第一金属层,所述第一金属层的金属图案包括左右对称的左部金属图案和右部金属图案,所述左部金属图案或右部金属图案分别包括依次连接的输入输出端口、第一阶跃阻抗短路截线、第二阶跃阻抗短路截线和交趾耦合线节,所...
  • 本实用新型公开了一种固体继电器,包括,一个发光元件;一个光伏二极管阵列;一个或两个接在继电器输出端子之间的常开型金属氧化物场效应晶体管;还包括,一个由光电三极管组成的加速充电电路,一个由两个PNP三极管、一个NPN三极管和一个光电三极管...
  • 本实用新型公开了一种固体继电器,包括一个光伏二极管阵列和一个或两个场效应晶体管;还包括一个由光电晶体管、电阻组成的充电电路,光电晶体管的发射极接效应晶体管的栅极,集电极接在光伏二极管阵列的第一端,电阻接在场效应晶体管的源极和光伏二极管阵...
  • 一种可集成的高速全光波长转换装置,属于光电子技术领域。主要包括两只半导体光放大器与电吸收调制器的级联结构。利用第一半导体光放大器中的交叉增益调制效应,将泵浦光上的信号调制到另一不同波长的探测光上;利用电吸收调制器的电吸收效应,滤除泵浦光...
  • 本发明涉及一种具有失效相关模式系统的动态故障树分析方法,包括步骤:步骤1:定义失效相关模式;步骤2:定义失效相关模式对应的失效相关门;步骤3:通过马尔科夫链对失效相关门进行求解;步骤4:通过失效相关门建立系统的动态故障树模型;步骤5:求...
  • 一种移动互联网中僵尸木马防护方法及其系统,涉及信息安全领域。防护方法包括如下步骤:步骤S1,捕获移动互联网用户上网网络数据包;步骤S2,进行移动僵尸木马检测;步骤S3,进行移动僵尸木马活动检测;步骤S4,对发现的移动僵尸木马和移动僵尸木...
  • 本发明提供了一种平面印刷宽带定向天线,它是利用平面印刷偶极子(8)和阻抗调节振子(6)共同控制天线的带宽。调整阻抗调节振子(6)的位置和尺寸,可以增加平面印刷宽带定向天线的带宽。本发明结构简单、增益适中、成本低,易于与射频电路集成,节省...
  • 微带渐变连接器,属于微波器件技术领域。本发明的渐变阻抗的轮廓为轴对称的二次曲线。本发明的有益效果是,能调节连接器的长度,适应不同空间大小的需要,利于小型化尤其是SIW到微带的连接,总体上具有反射小、频带宽、可调性能高等特点。
  • 边缘渐进阻抗加载结构及制备方法,属于电子材料技术领域。本发明在阻抗膜上设置有渐进的周期性方形铝箔贴片和与其互补的渐进周期性孔单元,渐进方形铝箔单元和孔单元边长分别为a=8mm,b=5mm,c=2mm,单元间距即周期为L=10mm。本发明...
  • 本实用新型涉及频率可调的滤波定向耦合器,包括从上往下依次层叠的金属覆铜上层、介质层、金属覆铜下层,其特征在于,所述金属覆铜上层有四根耦合线,所述四根耦合线每相邻的两根被分为一组,每一组的两根耦合线之间有缝,所述四根耦合线的一端分别通过四...
  • 本发明披露了用于导航卫星系统信号源的平滑选星方法,包括第一次选星步骤和后续选星步骤,在后续的各次选星步骤中,采取了“将上次入选且本次可见的卫星作为本次入选卫星”、“先增选满NUM颗卫星再判断GDOP值”、“增选后如果需要改选,只改选新增...
  • 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法,涉及微电子技术领域。本发明的刻蚀液以质量比计算,其组分为:HBF4∶HNO3∶H2O=1∶x∶5,其中0.5≤x≤3;其中,HBF4的浓度为3.2%~9.6%,HNO3的浓度为65%~68%。本发...
  • 本发明公开了一种具有最小电位选择功能的运算放大器,包括偏置电路、反相输入管和输出级电路,其特征在于,还包括最小电压选取电路和输入跟随电路。本发明的运算放大器增加了最小电压选取电路,使得该运算放大器兼具有对同相输入端的多个输入信号的最低值...
  • 本发明公开了一种硅光电池,包括:背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区,所述背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区组成pin结构,其特征在于,还包括介质埋层,所述介质埋层位于P-基区内部,耗尽区外部,并且介质埋层不隔断P-基区。本发...
  • 本发明公开了一种红外探测器测温的定标和校正方法及相应的测温方法,其中测温定标和非均匀校正的流程是非均匀校正先开始,进行到生成校正参数和之后,进行测温定标,但此时非均匀校正的过程没有停止,一直在进行循环判断参数是否发生漂移,若漂移则对参数...