一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N+衬底、背面的金属化阴极和正面的N-漂移区；N-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和栅氧化层；N-漂移区顶部两侧分别具有一个N型重掺杂区，两N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区...

一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合结构中，LIGB...

本发明涉及编队卫星SAR的波形设计，提供了一种通过对线性调频(LFM)信号进行相位编码的正交波形设计方法。首先生成线性调频信号，将线性调频信号按等时间间隔进行N等分，形成N个子脉冲，根据编队卫星的个数M对每个子脉冲进行M次随机相位编码，...

本发明给出一种无线测量基站灵敏度的方法及装置。本发明技术要点：检测被测基站的信道列表；在所述列表的一个信道上，通过功率调节器改变测试终端1的发射功率并在测试终端2上统计误码率；用某一设定误码率下对应测试终端1的发射功率以及无线信道传输特...

本发明公开了一种面向电力系统的高精度无线时钟同步系统，采用了在物理层中添加硬件辅助时间戳电路，将时间戳的标识从传统的应用层或者数据链路层(MAC)转移到物理层(PHY)中，将时间戳信息传送给中央处理器，相对现有技术的硬件时间戳方法，由于...

本发明公开了一种带隙基准电压源，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5...

一种染料敏化太阳能电池用石墨烯对电极，属于太阳能电池技术领域。所述对电极包括透明衬底、位于透明衬底表面的石墨烯导电层和位于石墨烯导电层表面的石墨烯催化层；石墨烯催化层由石墨烯(或掺杂石墨烯)粉末、羟乙基纤维素和挥发性有机溶剂混合所得浆料...

本发明公开了一种低压差线性稳压器，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第一电阻单元、第二电阻单元、第三电阻单元、第四电阻单元、第五电阻单元、第一电容、第二电容和第一放大器、第二放大器。本发明的低压差线性...

一种黑硅材料表面金属电极的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。该方法包括：步骤1：化学镀前预处理；步骤2：用化学镀工艺在黑硅材料表面沉积一层过渡层；步骤3：干燥；步骤4：用蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属电极层；步骤5：退火；...

黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的方案要点为：1、通过带反向电压偏置的三电极横向测试装置，直接测试金属/黑硅材料的I-V特性曲线，判定黑硅材料与金属电极之间的接触类型。2、用带反...

本发明公开了一种真空开关真空度在线监测系统，在高压端通过取样电阻获取反映真空开关真空度的真空度传感信号，然后通过信号采集板转换为数字的真空度传感数据，采集到的真空度传感数据通过红外信号发送出去；在低压端通过红外信号接收模块接收来自高压端...

本发明公开了一种LED控制驱动芯片级联信号单线传输装置，可实现各LED控制驱动芯片之间的级联信号单线传输，包括对传输给各芯片的串行数据信号的编码；各芯片根据接收到的串行信号，生成同步采样时钟，并采集数据；各芯片检测串行信号中的RESET...

一种具有内嵌电容的印制电路板及制造方法，属于印制电路技术领域。在单层印制电路板的覆铜层中嵌入至少一个内嵌电容；所述内嵌电容的下电极与覆铜层相接触、上电极与覆铜层相绝缘、介质层位于上电极与下电极之间。将至少一层具有内嵌电容的印制电路板与其...

本发明公开了一套基于多级映射的大规模多副本分布式存储系统及其应用方法，解决了现有技术中存在的大规模分布式存储系统中的数据散列不均衡，不支持副本及节点权重，管理难度较大等问题。该基于多级映射的大规模多副本分布式存储系统包括用于存储资源的存...

本发明涉及一种一维光学扫描器，包括旋转电机、光纤排列结构和光学镜头，其特征在于，所述光纤排列结构包括回转体、定位结构和紧固件，所述定位结构位于回转体和紧固件之间，回转体嵌入到紧固件中将定位结构压紧固定形成呈柱状的光纤排列结构；所述回转体...

本发明公开了一种单个载体中多种电磁设备间同时同频工作的方法。采用这种方法，面积有限或体积有限的单个载体内的多个设备可以在工作频段相同、部分重叠或相邻的情况下，同时收发电磁波，与外界正常通信。各设备需要增加数字接口和模拟接口，并且相互连接...

本发明公开了一种双面膜片微型气体富集器，由上下两个硅片键合而形成一个微型气室，每个硅片上设置有一个或多个悬空膜片，悬空膜片对应位置的硅被完全去除而形成空腔，每个悬空膜片上制备有薄膜加热器，每个悬空膜片的内壁涂敷有吸附薄膜。本发明通过将富...

主动电场液体输送管道内检测装置，属管道检测技术领域。本装置由主动电场发射装置(1)，电场变化检测装置(2)，数据采样装置(3)，数据处理器(4)及探头支架(5)五部分组成。所说的主动电场发射装置由信号发生器(1-1)和发射电极(1-2)...

一种三氧化二钒薄膜的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用无机物偏钒酸盐作为钒源，通过添加水溶性聚合物和络合稳定剂形成均一长期稳定的钒前驱体溶液；利用所述钒前驱体溶液经旋涂、在密闭的高温高压管式炉里进行高温热处理获得三氧化二钒薄膜。本发...

本发明涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波长结构从...